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2018-05-11 发布于浙江
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官方说明书ST M36L0R7050T0 M36L0R7050B0 数据手册.pdf

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官方说明书ST M36L0R7050T0 M36L0R7050B0 数据手册

ST M36L0R7050T0 M36L0R7050B0 handbook /file/2635527 From ManualL ManualL collects and classifies the global product instrunction manuals to help users access anytime and anywhere, helping users make better use of products. Home: / Chinese: / This Manual: /file/2635527 查询M36L0R7050供应商 M36L0R7050T0 M36L0R7050B0 128 Mbit (Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash Memory 32 Mbit (2M x16) PSRAM, 1.8V Supply Multi-Chip Package FEATURES SUMMARY ■ MULTI-CHIP PACKAGE Figure 1. Package – 1 die of 128 Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-level, Burst) Flash Memory – 1 die of 32 Mbit (2Mb x16) Asynchronous Pseudo SRAM ■ SUPPLY VOLTAGE – VDDF = VDDP = VDDQ = 1.7 to 1.95V FBGA – VPPF = 9V for fast program (12V tolerant) ■ ELECTRONIC SIGNATURE – Manufacturer Code: 20h – Device Code (Top Flash Configuration) M36L0R7050T0: 88C4h TFBGA88 (ZAQ) – Device Code (Bottom Flash 8 x 10mm Configuration) M36L0R7050B0: 88C5h ■ PACKAGE – Compliant with Lead-Free Soldering Processes – Lead-Free Versions FLASH MEMORY ■ BLOCK LOCKING ■ SYNCHRONOUS / ASYNCHRONOUS READ – All blocks locked at power-up –