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2018-05-11 发布于浙江
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ST STGW30N90D handbook /file/2716108 From ManualL ManualL collects and classifies the global product instrunction manuals to help users access anytime and anywhere, helping users make better use of products. Home: / Chinese: / This Manual: /file/2716108 查询STGW30N90D供应商 STGW30N90D N-channel 900V - 30A - TO-247 Very fast PowerMESH™ IGBT Preliminary Data Features Type VCES VCE(sat) IC @25°C @100°C STGW30N90D 900V 2.75V 30A ■ Low on-losses ■ Low on-voltage drop (Vcesat) ■ High current capability TO-247 ■ High input impedance (voltage driven) ■ Low gate charge ■ Ideal for soft switching application Description Figure 1. Internal schematic diagram Using the latest high voltage technology based on its patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, with outstanding performances. Application ■ Induction heating Table 1. Device summary Order code Marking Package Packaging