官方说明书东芝 2SK880 说明书.pdfVIP

2SK880 東芝電界効果トランジスタ シリコンNチャネル接合形 2SK880 ○ 低周波低雑音増幅用 単位: mm • 小型パッケージです。 • 高 |Y |のため高利得が得られます。 fs : |Yfs | = 15 mS (標準) (VDS = 10 V, VGS = 0) • 高耐圧です。: VGDS = −50 V • 超低雑音です。 : NF = 1.0dB (標準) (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA, f = 1 kHz, RG = 1 kΩ) • 高インピーダンスです。: IGSS = −1 nA (最大) (VGS = −30 V) 絶対最大定格 (Ta 25°C) 項 目 記 号 定 格 単位 ゲ ー ト ･ ド レ イ ン 間 電 圧 VGDS −50 V ゲ ー ト 電 流 IG 10 mA 許 容 損 失 PD 100 mW 接 合 温 度 Tj 125 °C JEDEC ― 保 存 温 度 Tstg −55~125 °C JEITA SC-70 注: 本製品の使用条件 (使用温度/ 電流/ 電圧等) が絶対最大定格以内で 東 芝 2-2E1B の使用においても、高負荷 (高温および大電流/高電圧印加、多大な 温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下す 質量: 0.006 g (標準) るおそれがあります。 弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) およ び個別信頼性情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。 1 2007-11-01 2SK880 電気的特性 (Ta 25°C) 項 目 記 号 測 定 条 件 最小 標準 最大 単位 ゲ ー ト し ゃ 断 電 流 IGSS VGS −30 V, VDS 0 ⎯ ⎯ −1.0 nA ゲ ー ト ･ ド レ イ ン 間 降 伏 電 圧 V (BR) GDS