CCD器件及其应用第四章.pptVIP

* * 第五讲 典型线阵CCD 一、TCD1206UD(主要用于尺寸测量) ◎基本结构 尺寸：长14um、高14um、中心距离14um，总长30.24mm 存储栅：用作存储光生电荷的MOS电容列 转移栅电极SH CCD模拟移位寄存器 2236个光敏元阵列 前64个 后12个 暗电流检测Dn 中间2160个——曝光像敏单元Sn 存储栅：用作存储光生电荷的MOS电容列 转移栅电极SH CCD模拟移位寄存器 ◎工作原理 多晶硅 SiO2 MOS电容中的信号电荷包通过转移栅转移到移位寄存器的 电极下的 势阱中。当 由高变低时， 低电平形成的浅势阱将存储栅下势阱与 电极下的势阱隔离开。存储栅势阱进入光积分状态，而模拟移位寄存器将在 与 脉冲的作用下驱使转移到 电极下势阱中的信号电荷向左移动，并 经输出电路由OS电极输出。 TCD1206UD在图4－2所示的驱动脉冲作用下工作。当 脉冲高电平到 来时，正值 电极形成深势阱，同时 的高电平使 电极下的深势阱与 MOS电容存储势阱沟通。 ◎TCD1206UD的驱动电路 由晶体振荡器构成的脉冲信号源产生主时钟 。 脉冲经可编程 逻辑器件ISPLS1产生 、 、 、 四路驱动脉冲。芯片在此 脉冲作用下正常工作，输出OS信号和DOS信号。 此两路输出信号分别送到差分放大器，抑制掉共模的 引起的干扰， 从而形成如图4-5所示的信号波形。 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 22 21 20 19 18 17 16 15 14 13 12 1206TCDSUP 晶 体 振 荡 器 SS SH NC NC NC NC NC NC NC NC OS DOS OD NC 1 NC NC NC NC NC SH 差分放大器 ◎TCD1206UD的特点 该芯片的四路驱动脉冲均可由COMS逻辑器件HC7404直接提供 0.3V到5V的脉冲，因为在芯片的内部已经设置了电平转换驱动器，这样 极大地方便了用户。 1）驱动简便 2）灵敏度高 该芯片的光电灵敏度为45V/lx*s，它的饱和曝光量为0.037 lx*s。 虽然低于TCD1208AP(110V/lx*s， 0.01 lx*s)，但是它的动态范围1700 比TCD1208AP(400)高很多。 问题1:何为光电灵敏度、饱和曝光量、动态范围？ 动态范围(P43) 下限——由噪声决定的能被信号检测得到的最小电荷 上限—— 势阱中可存储的最大电荷量 3）光谱响应 该芯片的光谱响应曲线如图。其峰值响应波长 为550nm， 长波限为1100nm，短波限可延长到紫外区。它的前代产品TCD1200D 可延长至250nm。 400 600 500 800 700 1000 900 1100 0.5 0.75 0.25 1.0 相对响应 波长(nm) 4）温度特性 当环境温度由零度增长到60度时，它的信号输出端UOS几乎 没有太大变化 5）积分时间与暗电压的变化关系(P49图4-8) CCD的基本工作原理决定了线阵CCD器件的暗电压都与积分时间 有关。因为CCD是积分器件，随积分时间增长，积累的暗电荷也增大。 问题2：图4-8所表现的积分时间与暗电流是否线性关系？ 二、RL1024SB(用于光谱探测) 用于光谱探测的线阵CCD具有光谱响应范围宽，具有较大的动态 范围、噪声低、暗电流小，具有很高的灵敏度，像敏单元的不均匀性好 等特征。 ◎ RL1024SB的工作原理 （见图4－13） 像敏单元是pn结光电二极管，位于下部； 而上部的pn结为不感光的光电二极管阵列； 每个有效光电二极管都对应着一个MOS场效应管用以存储光电二 极管产生的信号电荷。 图最上面为移位寄存器，通过 和 脉冲的作用，移位寄 存器可以顺序地打开场效应管开关，使得右边输出有效光电信号。 ◎ RL1024SB的光谱响应 普通光学玻璃在紫外波段对光的吸收较大，使得普通光学玻璃窗口 的光谱响应曲线截止至350nm；石英玻璃在紫外波段