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台湾 CMOS IC.pdfVIP

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  • 2018-05-08 发布于四川
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台湾 CMOS IC.pdf

    第十二章化學機械研磨 平坦化 • 平滑化及局部平坦化可就由熱流動以及回蝕刻 製程而達成 • 對圖形尺寸小於0.35 µm而言，全面性平坦化 是必須的，而這只能藉化學機械研磨才能達成 。 • 顯影製程之解析度R = K1λ/NA • 為增加解析度, ：NA ↑ 或λ ↓ 2 • DOF = K2λ/2(NA) ,

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