固体物理-第五章_半导体电子论.pptVIP

第五章 半导体电子论 5.1.半导体概述 5.2.半导体的基本能带结构 5.3. 杂质能级 5.4. 载流子的统计分布 5.5. 半导体的电导率与霍尔效应 5.6. 半导体的光吸收 5.7. 非平衡载流子 5.8. P-N结 5.9. 半导体超晶格 第五章 半导体电子论 5.1.半导体概述 半导体的重要性 5.1. 1.半导体的基本特性 1.电阻率10-3—106Wcm，(金属10-6Wcm,绝缘体 1010Wcm). 电阻率温度系数0(金属的电阻率温度系数0).电阻率随光照而下降。随杂质类型与含量而异（室温下纯晶体Si中掺入千万分之一的P, 其电阻率由2.14x105Wcm下降到1Wcm。） 2.霍尔效应强，霍尔系数可正可负或为0（金属的霍尔系数0) 3.温差电势几百微伏/度，比金属的温差电势（几微伏/度）大很多。 5.1. 半导体概述 5.1.2.主要的半导体材料及结构 1.主要的半导体材料: 元素半导体：Si,Ge, 化合物半导体：III-V: GaAs,GaP, GaSb,InP,InSb; II-VI：ZnS,CdS, 2.结构 金刚石结构, 以四面体为单元的长程规则排列, 例 如,Si,Ge,这是最重要的半导体 闪锌矿结构, 大部分III-V族化合物, 例如GaAs, 大部分II-VI 族化合物, 例如ZnS,CdS ,CdTe, HgTe 纤锌矿结构, 部分III-V族化合物和II-VI族化合物, 例如 ZnS,CdS可以是闪锌矿结构,也可能是纤锌矿结 构, NaCl结构,例如，PbS,PbSe,PbTe 5.2.半导体的基本能带结构 5.2.1.理想半导体能带模型 Ec(k)与Ev(k)作为波矢k的函数,可取如下简单形式 Ec(k)=Ec+?2k2/2m*e 5.2.1.1 Ev(k)=Ev-?2k2/2m*h 5.2.1.2 m*e与m*h分别为导带电子与价带空穴的有效质量. 5.2.半导体的基本能带结构 5.2.2.直接带隙半导体 实际半导体的能带结构最接近上述理想结构的是GaAs, 其导带底与价带顶都处于k-空间的原点k=0处, 1. 直接带隙半导体 导带底与价带顶都处 于k-空间的同一点处 的半导体. GaAs,就是 一例 5.2.半导体的基本能带结构 2. GaAs价带与导带的结构 导带 在[100]和[111]方向,有能量依次增高的第2和第3极小值,称为能谷,在导带底和能谷附近E(k)关系可以近似表达为 5.2.1.1式，只是不同能谷的有效质量不同。具有立方对称性的晶体, 有6个[100]方向和8个[111]方向, 所以有6个第2能谷, 8个第3能谷. 价带 实际上是空穴的能带,由个互相靠近的3个子能带组成,它们的极值点都在k=0处, 由于各子能带k的变化率不同，所以，空穴的有效质量不同。 5.2.半导体的基本能带结构 5.2.3 间接带隙半导体 1. 什么是间接带隙半导体？ 导带底与价带顶分别处于 k-空间的不同点处的半导 体. Si,Ge,就是其中的两个。 2.导带的结构 Si的导带:如果原点与 [100]方向布里渊区边界的距离是d, 则导带底在[100]方向与原点距离为5d/6处,对于具有立方对称性的晶体, 有6个[100]方向,所以有6个等价的导带底或能谷, 常称为卫星能谷. 5.2.半导体的基本能带结构 Ge的导带: Ge的与Si相似,只是导带底在[111]方向的布里渊区边界, 因为有8个[111]方向, 所以有8个卫星能谷. 注意:导带能谷附近的电子 的有效质量是各向异性的, 沿对称轴方向的叫纵向有 效质量ml, 垂直于对称轴方 向的叫横向有效质量mt, 3.价带的结构 价带实际上是空穴的能带，Ge,Si的价带相似, 由互相靠近的3个子能带组成,它们的价带顶都在k=0处 5.3.杂质能级 5.3.1.施主与受主 1. 施主 例如，Si掺P形成的代位式固溶体。 施主:能够向半导体提供电子, 同时自身成为带正电离子的 杂质。 2.施主能级 施主杂质的电子处于被施主束缚的状态,它所处的能级ED位于能隙中靠近导带底的位置,该能级就是施主能级。 5.3.杂质能级 施主电离能: 施主能级的电子由施主能级激发到导带所需要的最小能量eD。 eD= EC - ED EC导带底的能量 N-型半导体:主要依靠电子导电的半导体 2.受主 例，Si掺B形成的代位式固溶体。 受主:能够接受半导体提供的电子,自身成为负离子, 同时在价带中产生空穴的杂质。 5.3.杂质能级 受主能级: 受主杂质所产生的空穴被受主束缚, 空穴所处的能级EA位于能隙中靠近价带顶的位置,该能级就是受主能级。 受主电离能: 价带的电子填入受主的空能级的过程，叫