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功率半导体新宠：SiC和GaN 上网日期: 2010年09月02日 已有[ 3 ]个评论? ?打印版 ?发送查询 订阅 关键字： 功率半导体? SiC? GaN? 传统的功率半导体器件大多都是以Si为衬底材料。现在，这种功率半导体材料正受到来自新一代材料——GaN（氮化镓）及SiC（碳化硅）的冲击。这两种材料特性优于现有材料硅（Si）而备受电力公司、汽车厂商及电机厂商等的关注。这是因为，若用GaN及SiC等化合物半导体代替Si，或许Si功率半导体器件（以下简称：功率器件）无法实现的高效率及小型化将成为可能。 目前的功率器件利用的是Si二极管、MOSFET及IGBT（绝缘栅双极晶体管）等晶