m1-1二极管和三极管.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 加动画 * * * * * * * * * * * * * * * * * 学会判断二极管的工作状态。 * 三极管集电极、发射极的判别 基极开路， Rce大, → Iceo小 基极接电阻，Rce小， → β大 PNP NPN 判断硅管和锗管的电路 一般常温下, 锗管正向压降为0.2～0.3V, 硅管的正向压降为0.6～0.7V。由电压表的测量读数大小确定是硅管还是锗管。 1.4 三极管的模型及分析方法 i C I B I B =0 u CE (V) (mA) =20uA B I =40uA B I =60uA B I =80uA B I =100uA 非线性器件 UD=0.7V UCES=0.3V iB≈0 iC≈0 一. 三极管的模型 + + + + i - u BE + - u B CE + C i b e e c 1.3 半导体三极管 截止状态 e c b 放大状态 UD βIB IC IB e c b 发射结导通压降UD 硅管0.7V 锗管0.3V 饱和状态 e c b UD UCES 饱和压降UCES 硅管0.3V 锗管0.1V 直流模型 1.3 半导体三极管 2.晶体管工作状态分析 通过分析电路的直流电流关系 来判断晶体管是放大、饱和还是截止状态 I B 0 截止 I B 0 V CE 0.3 饱和 V CE 0.7 放大 工程近似法--估算法 　即利用直流通路，计算静态工作点。直流通路是指输入信号为零，耦合及旁路电容开路时对应的电路。 分析步骤： 确定三极管工作模式 。 用相应简化电路模型替代三极管。 分析电路直流工作点 。 只要VBE ?0.5V（Ｅ结反偏） 截止模式 假定放大模式，估算VCE : 若VＣE 0.3V 放大模式 若VＣE＜0.3V 饱和模式 例： 测量三极管三个电极对地电位，试判断三极管的工作状态。 放大 截止 饱和 - + 正偏 反偏 - + + - 正偏 反偏 + - 放大VcVbVe 放大VcVbVe 发射结和集电结均为反偏。 发射结和集电结均为正偏。 例： 测得VB =4.5 V 、VE = 3.8 V 、VC =8 V，试判断三极管的工作状态。 放大 例 已知VBE(on)=0.7V ，VCE(sat)=0.3V ，?=30 ，试 判断三极管工作状态，并计算VC。 解： 假设T工作在放大模式 VCC RC RB (+6V) 1k? 100k? T 因为 VCEQ0.3V，所以三极管工作在放大模式 。 VC = VCEQ= 4.41V 例 若将上例电路中的电阻RB 改为10k?，试重新 判断三极管工作状态，并计算VC。 解： 假设T工作在放大模式 VCC RC RB (+6V) 1k? 10k? T 因为 VCEQ0.3V，所以三极管工作在饱和模式。 例 已知VBE(on)=0.7V ，VCE(sat)=0.3V ，?=30 ，试 判断三极管工作状态，并计算VC。 解： 所以三极管工作在截止模式 。 VCC RC RB1 (+6V) 1k? 100k? T RB2 2k? + - VBB RB RC + - VCC VBE(on) 三极管电极判别分析思路 工作在放大电路中的三极管应满足发射结正偏，集电结反偏的条件。 1，由PN结正偏特性可知，正偏时PN结电压不会太大。 一般硅管的 |UBE|=0.5~0.7V， 锗管的 |UBE|=0.1~0.3V。 所以首先找出电位差在0.1~0.7V的两个电极，且其必定为发射极和基极。 余下的一个电位差较大者必为集电极。硅管锗管亦可定下。 三极管电极判别分析思路 2，由集电极必须反偏特性可知， 若集电极电位最高，则该管必为NPN型三极管，发射极电位必定最低。 若集电极电位最低，则该管必为PNP型三极管，发射极电位必定最高。 由此可确定发射极。而电位值处于中间者必定为基极。 三极管状态分析思路 三极管工作于不同区域，具有不同的偏置特性。 放大区，发射结正偏，集电结反偏； 饱和区，发射结正偏，集电结正偏或零偏； 截止区，发射极反偏或正偏小于开启电压，集电结反偏。 三极管状态分析思路 三极管在发射结正偏时，可能工作在放大区和饱和区，如何界定？ 截止区： IB=0, IC=IE=0,