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應用電子學實驗講義(II) 單級放大器的設計 目的 單級放大器是放大器設計的基礎，這個實驗是要介紹不同單級放大器的特性，及 簡單電阻負載放大器的偏壓設計。 相關知識 1. 共射極放大器 2. 共源極放大器 3. 射極與源極隨耦器 一、雙載子接面電晶體（bipolar junction transistor ，BJT ）回顧 好久沒碰 BJT 了，複習一下BJT 的特性。一個 npn BJT 偏壓調在順向活性區 （forward active ）時，VBE 差不多維持在 0.7V 左右，變化不大，而且這時的 IC 是IB 的β倍。我們還要注意，VCE 必須大於0.2V 。BJT 在順向活性區的簡單電路 模型總結如下圖： C B IB C B 0.7V 0.2V βIB V BE(ON) ~0.7V E E 簡易小訊號模型如下：分為VCCS 和CCCS 模型 ib B C B C υbe rπ gm υbe υbe rπ βib E E 單級放大器之1 應用電子學實驗講義(II) 二、共射極放大器（Common-Emitter Amplifier ） 下面我們利用這個簡單的BJT 模型瞭解右圖電路的操作： 1. 靜態偏壓分析 這是一個標準的four-resister bias circuit ，R1 和 R 將電晶體 Q 偏壓在順向活化區，基極 2 1 的靜態偏壓約為 V =V [R /(R +R )] ，這裡 B CC 2 1 2 假設 IB 很小，不影響 VB 之偏壓值。射極的 偏壓 V 約為 V -0.7V ，射極的靜態電流 E B I =V /R ，集極電流I =I [β/(β+1)]≈I （通常 E E E C E E β1 ）。C1 為阻隔電容（blocking capacitor ）， 使Q 基級偏壓不受輸入電壓V 的直流部份 1 in 影響。 2. 功能分析 假如在V 輸入交流訊號∆V ，而C 對∆V 可視為短路，因此∆V =∆V ，又射極的 in 1 B 電壓會隨V 變化，∆V =∆V =∆V ，若輸出訊號由射極接出，則此電路為一射極 B E B 隨耦器（emitter follower ），類似的電路在上學期已經測量過。 假如輸出是由集極接出呢？這裡我們看一下∆V 多大。∆I ≈∆I =∆V /R