al掺杂zno薄膜晶体管源漏电流偏移现象的分析word格式论文.docxVIP

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2018-05-18 发布于上海
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al掺杂zno薄膜晶体管源漏电流偏移现象的分析word格式论文

AbstractInrecentyears,thepanelsizeoftheflatpaneldisplaydeviceisbecoming largerandlargerastheelectronictechnologydevelopsquickly.Atthesametime, thecolorsaturationandresolutionofthedisplayisconstantlyimproving,andtheresponsetimeofthedeviceisreducingquickly.Forallthesereasons,weneedhigh switchinganddrivingperformanceofthethinfilmtransistor(TFT),whichisthebasiccomponentofthe paneldisplaydevice.Thusthe perfectTFTshouldhave idealparameters,suchas the fieldeffectmobility,workingcurrent, switchratioand soon. However,thesource-draincurrentoffsethappensveryoftenintheTFTdevicesduetotheeffectsoftheenvironmentandpreparationprocess.Thissource-draincurrentoffsetmayleadtotheelectricalperformancedistortinthelinearregion,thereforecouldaffecttheparameterextractionandabatesthecurrentdrivecapabilityofTFT. TheoxideTFT, especialthe ZnOTFT, hasattractedmanyattentions for theirvirtues suchasthehighmobility,hightransparency,andlowprocesstemperature.Inthisthesis,Al-dopedZnO(ZAO)TFTsarefabricatedusingthepulselaserdeposition(PLD) method. Then theeffectsof theannealing temperature,oxygen pressure, laserenergy,substrate temperatureandthe widthto length ratioofthechannel onthe TFTelectricalpropertiesarestudied,withtheexpectationtofindhighperformanceZAO TFTwithnocurrentoffset.Themainresearchcontentsandobtainedresultsaresummarizedasfollows:ZAOfilmsaswellasthecorrespondingZAOTFTsarepreparedusingthePLDmethod.Theeffectsoftheannealingtemperature,oxygenpressure,laser energy,substratetemperatureandthewidthtolengthratioofthechannelontheTFT’selectricalpropertiesarestudied.TheresultsshowthatZAOTFTsannealedat200oC have serious Source-Drain current offset problem. And as the annealingtemperatureincreasingform200oCto500oC,thecurrentoffsetextentisgraduallydecreased.WealsofindthattheSource-Draincurrentincreasefrom17μA to51μA whenthewidthtolengthratioofthechannelchangefrom7.5to31.5.WepreparedtheZAOfilmsandthecorrespondingZAOTFTsinthedifferentoxygenpressures,laserenergiesandsubstratetemperatures.Andtheeffectsofthes