硅基LED芯片使用指引.pdfVIP

晶能光电（江西）有限公司 LatticePower （JiangXi ）Corporation 硅基 LED 芯片使用指南 这份使用说明让客户对本系列芯片具有初步的了解，并根据芯片结构特性为 客户使用提供必要的操作建议。 芯片结构说明 本系列芯片横截面如图 1。 本系列芯片为 Si 衬底 GaN 基垂直结构产品，上表面 N 电极材料为Au （极 性为负），芯片底部接触层材料即P 电极为Au （极性为正），可用导电银胶或锡 膏进行固晶； InGaN 层和 Si 基板层都是易碎材料，因此芯片在操作过程中应尽可能谨慎， 避免过大应力作用于芯片上，也应避免使用尖锐的硬质工具对芯片进行作业，以 防损坏芯片； 请勿将粘性膜或胶类接触芯片表面，否则芯片表面被污染会降低芯片出光效 率，甚至污染灌封硅胶，导致固化不良。 Au 焊线电极（N 极） 钝化层 GaN 粘结金属层 Si 基板 200µm Au 接触层（P 极） 图 1 芯片固晶作业 自动设备固晶要点 1. 为避免 LED 芯片可能发生的静电(ESD)损伤，在撕蓝膜以及离心膜过程 中，请使用离子风扇进行作业； 2. 银胶（或锡膏）用量不可过多，否则可能会导致 P-N 结短路，也不可过 晶能光电 Page1 晶能光电（江西）有限公司 LatticePower （JiangXi ）Corporation 少，银胶太少会导致固晶不牢，建议银胶覆盖 Si 基板 1/3～1/2 处。如图 2 图2 3. 顶针的尺寸应适应芯片尺寸。以下为用于不同型号芯片的顶针尺寸参考 值: 型号 芯片尺寸 (mil×mil) 顶针尺寸 (半径：μm ) 2828 28×28 50 3535 35×35 50 4545 45×45 100 5555 55×55 100 图3 4. 吸嘴应使用抗静电的橡胶类产品，不可使用坚硬材料（如钢质、碳钨合 金）的产品，过硬的吸嘴产品可能会损伤芯片。以下为用于不同型号芯片的橡胶 吸嘴尺寸参考