第三章静电场分析2.pptVIP

第三章 真空中静电场的基本方程 场论 结论 作业 3.22 23 * * 第三章 真空中静电场的基本方程 3.9 不同媒质分界面上的边界条件 3.9.1 依据 3.9.2 不同媒质分界面上的边界条件 (1) 电通量密度的法向分量 媒质1 媒质2 分界面上作一个小的柱形闭合面 分界面的法线方向由2指向1, 因柱形面上、下底面积ΔS很小， 故穿过截面ΔS的电通量密度可视为常数， 假设柱形面的高h→0， 则其侧面积可以忽略不计 高斯定理 设分界面上存在的自由面电荷密度 3.9.2 不同媒质分界面上的边界条件 (1) 电通量密度的法向分量 高斯定理 分界面上的自由面电荷密度 得: 或: (2)电位函数的法向导数 (3)电场强度E的切向分量 矩形闭合路径abcda 穿越媒质分界面 ab和cd的长度为Δl 分界面的法线方向由媒质2指向1 h→0 ab的方向 矩形平面的方向 场强环流定理 或: 分界面上电场强度的切向分量总是连续的 分界面上的自由面电荷密度 (4)电位函数 两种不同媒质的分界面上电位是连续的 h→0 (5) 分界面上电场的方向 设分界面两侧的电场与法线n的夹角分别为θ1和θ2 在不同介质分界面上，电场强度和电通量密度一定改变方向 只有当θ1或θ2等于零时，分界面上的电场方向才不改变 例如平行板、同轴线和同心球中的电场 不同媒质分界面上的边界条件1 分界面上的自由面电荷密度 两种不同媒质的分界面上电位是连续的 媒质1 媒质2 分界面的法线方向由2指向1, 或: 分界面上电场强度的切向分量总是连续的 不同媒质分界面上的边界条件2 分界面上的自由面电荷密度 两种不同媒质的分界面上电位是连续的 媒质1 媒质2 分界面的法线方向由2指向1, 或: 分界面上电场强度的切向分量总是连续的 不同媒质分界面上的边界条件3 分界面上的自由面电荷密度 两种不同媒质的分界面上电位是连续的 媒质1 媒质2 分界面的法线方向由2指向1, 或: 分界面上电场强度的切向分量总是连续的 当媒质2为导体时 当媒质2为导体时 3.4 泊松方程 拉普拉斯方程 1.泊松方程 2.拉普拉斯方程 高斯定理: 梯度关系: 本构关系式: (电荷为零的地方) 3.7 唯一性定理 1、已知电荷分布求静电场的分布 场源分布确定时，静电场的分布也确定了。描述静电场的物理量（电场强度和电位）也确定了。 电场强度的求解方法： （1）点电荷电场+叠加原理 （2）高斯定理（3种分布型问题） （3）电位的梯度（需要先求电位的分布） 3.7 唯一性定理 1、已知电荷分布求静电场的分布 电位的求解方法： （1）点电荷电位+叠加原理 （2）定义求解（需已知场强分布） （3）微分方程的方法 用微分方程的方法求出电位后，再求梯度的场强 此类问题称作边值问题 2、边值问题 理解为：微分方程方法求静电场的电位分布 即：给定边界条件求解有限区域内场的问题 三类给定边值： 当媒质不均匀时，还需加入辅助边界条件 （1）狄利克莱边界条件 （2）诺伊曼边界条件 （3）混合边界条件 如果场域扩展为无界区域，还需提出无限远处的边界条件。 微分方程与边界条件一起构成边值问题。 如果边界是导体 已知导体表面的电位： 3、唯一性定理 给定边值的泊松方程和拉普拉斯方程有唯一解 三类给定边值： 当媒质不均匀时，还需加入辅助边界条件 (不同媒质分界面上的边界条件) （1） （2） （3） 如果场域扩展为无界区域，还需提出无限远处的边界条件。 微分方程与边界条件一起构成边值问题。 自然边界条件 方程: 3、唯一性定理 在静电场中，在每一类边界条件下， 反证法: 拉普拉斯方程的解是唯一的。 设场域空间是一个由表面边界S包围的体积V， 泊松方程或拉普拉斯方程的解必定是唯一的。 格林第一定理 如果 如果 设在给定边界上的电位时，拉普拉斯方程有φ1和φ2两个解 由于拉普拉斯方程是线性的，两个解的差φ′=φ1-φ2也满足方程 那么 则 第一类边界条件: 证明在第一类边界条件下, 给定边界上的电位为φ (两个标量函数关系) 所以φ′在边界S上的值为 因为 在边界S上，电位给定: 格林第一定理 则得 非负 必有: 即在场域空间均有 为常数 因为边界上 已知电荷分布求静电场的分布 电位的求解方法： （1）点电荷电位+叠加原理 （2）定义求解（需已知场强分布） （3）微分方程的方法 用微分方程的方法求出电位后，再求梯度的场强 此类问题称作边值问题 （需电荷分布在有限空间） （需已知场强分布） 结论 求解边值问题的方法，都基于唯一性定理， 一般可以分为解析法和数值法两大类。 解析法包括镜像法和分离变量法。 13,14 例 设有一半径为R的球体，带有电荷体密度为 球内外介电常数分别为: 试用微分方程法求解 （2）球内外的场强分布。 （1