基于表面势的非晶氧化锌薄膜晶体管漏电流模型的分析-analysis of leakage current model of amorphous zinc oxide thin film transistor based on surface potential.docxVIP

摘要非晶氧化锌薄膜晶体管（a-ZnOTFTs）在有源矩阵液晶显示（AMLCD）器件、固体图像传感器、化学传感器等应用中发挥越来越重要的作用。由于a-ZnO器件较氢化非晶硅（a- Si:H）器件呈现出更复杂的电学特性，而且a-ZnO器件比a-Si:H器件具有更高的迁移率；因此，合理地构建a-ZnOTFTs 的物理模型也变得越来越重要，特别是阐明a-ZnOTFTs 漏电流的物理机制，给出与器件特性相一致的函数关系，可为a-ZnOTFTs显示器件的制备和电路仿真提供理论依据。本文的研究目标是详细地对a-ZnOTFTs的物理机制进行系统研究，并在对a-ZnOTFTs 迁移率讨论的基础上，基于表面势对a-ZnOTFTs的漏电流特性建立紧凑模型，并使该模型具备嵌入电路仿真器的条件。基于泊松方程和高斯定理，采用非迭代算法，在考虑a-ZnOTFTs带隙能态的指数带尾态和深能态的完整分布条件下，解析地建立了a-ZnOTFTs的表面势紧凑模型。本文的表面势解析求解，是根据数学变换和LambertW函数，采用有效电荷密度方法，建立a-ZnO TFTs 表面势的一种非迭代求解新算法。与数值迭代算法的计算结果进行比较，该表面势解析算法的绝对误差低至10-5V数量级，且提高了计算效率；此算法避免了迭代求解，可有效减少仿真时间，为模型嵌入电路仿真器提供了实现条件。基于上述非迭代表面势算法，可以建立a-ZnOTFTs的漏电流方程。通过与不同漏源电压和栅源电压下a-ZnOTFTs器件的实验数据进行对比，得出漏电流模型的输出特性与转移特性曲线，进而验证了本文漏电流模型的有效性和正确性。此外，为进一步研究a-ZnOTFTs的漏电流特性，本文通过对幂律函数迁移率的分析和对有效沟道迁移率的推导，以及对这两种迁移率下器件漏电流方程的误差分析，得出适用于本文漏电流模型的最优迁移率方程。综上所述，本文提出的a-ZnOTFTs 直流模型，是以a-ZnOTFTs工作的物理机制作为基础，并以表面势为函数的方程进行表征。模型参数与器件参数之间的关系简单，模型能够依据现有实验数据进行较好的拟合；模型需要的计算量少，模型的数学表达式及其一阶导数连续，因此可满足嵌入电路仿真器的条件。关键词：非晶氧化锌；薄膜晶体管；紧凑模型；迁移率；漏电流ABSTRACTAmorphouszincoxidethinfilmtransistors(a-ZnOTFTs)haveincreasinglybroader applicationinactivematrixliquidcrystaldisplay(AMLCD)devices,solidimagesensors, chemicalsensorsandotherfields.Comparedwithhydrogenatedamorphoussilicon(a-Si:H), amorphouszincoxide(a-ZnO)deviceshavemorecomplexelectricalproperties.Inparticular,a- ZnOhaveahighermobilitythana-Si:H.Thus,itisimportanttolegitimatelybuilda-ZnOTFTs physicalmodels.Particularly,clarifyinga-ZnOTFTs’leakagecurrentphysicalmechanism,and givingafunctionrelationshipconsistentwiththedevicecharacteristics,theywillbenotonly provide a theoretical basis fora-ZnO TFTs’ preparation and circuit simulation.Theresearchgoalofthispaperaresystematicallystudythephysicalmechanismofa-ZnO TFTsdevicesindetailbasedonthesurfacepotential,andestablishacompactmodelofleakage currentcharacteristicsfora-ZnOTFTsbydiscussingtheissueofmobility,sothatthemodelhas the condition to been embedded circuit emulator.BasedonPoisson’sequationandGauss’slaw,acompactandanalyticalmodelforthesurface potentialofa-ZnOTFTshasbeender