太阳电池效率分布过宽原因试分析.pptVIP

电池效率分布变异分析 2011.7 4线数据 由上图的关系可以看出，影响电池效率的主导因素是电流和电压， 漏电和填充也有一定影响。电流的影响，主要在于膜厚，绒面和漏电，电压的影响主要在于，扩散和表面复合。 将不符合规律的界外点找出，以上数据说明：高串联电阻和漏电是电压高而功率不高的主要原因，浆料污染和烧结不透可能性比较大。而电流低的主要原因是高串联电阻，这可能是因为区域性栅线虚印。所以印刷烧结和微裂是造成界外点功率不高的主要原因。 凡是低效的漏电明显偏大，平均0.57，中位数0.3，但漏电的不一定低效。 电压，电流明显偏低。按以往经验电流电压低的片，通过各段调整工艺都难以提高。所以片子本身质量恐怕是主要影响因素。 可以看出漏电随电压的增加百分率跟效率有较强的相关性。 对于硅半导体而言，其在-10V到-12V大约在雪崩效应的拐点附近。增加大的电流说明拐点提前。拐点跟硅片本身杂质、并联电阻有关。 根据小硅锭位置的硅片质量 上面的小锭分布较为理想，考虑到去头尾、铸锭时各个大锭之间的质量变化。变异应该更大，分布更加扁平。但质量稍差的硅片数目应大于质量好的硅片。 将图1的坐标调整后，得到图1.1 将效率分布与硅锭质量分布进行对比后 我们可以看出，有一定关系。 图1 图1.1 测试系统变异 0908 line1 同档位 MSA分析 以上数据可以看出，在档次为0.2%为一个档的情况下，根本