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UESTC Nuo Liu 半导体 物理PHYSICS OF SEMICONDUCTORS 第四章 半导体的导电性Electrical conduction of semiconductors KEY： ? 迁移率(Mobility) ? 散射(Scattering mechanisms) ——影响迁移率的本质因素 ?漂移电流与扩散电流 ? 弱电场下电导率的统计理论 §4.1 载流子的漂移运动 迁移率 Key: 漂移运动 扩散运动 迁移率 一、散射与漂移运动 加上外电场E的理想:载流子定向运动，即漂移运动。 结论 在严格周期性势场（理想）中运动的载流子在电场力的作用下将获得加速度，其漂移速度应越来越大。 实际中，见到： 存在破坏周期性势场的作用因素： 如： * 杂质 * 缺陷 * 晶格热振动 2、迁移率假设讨论的是n型半导体，电子浓度为n0，在外电场下通过半导体的电流密度 迁移率的意义：表征了在单位电场下载流子的 平均漂移速度。 它是表示半导体