电磁场及电磁波6新2011.ppt

讨论内容 6.1 均匀平面波对单一分界面的垂直入射 6.2 均匀平面波对多层介质分界面的垂直入射 6.3 均匀平面波对理想介质分界平面的斜入射 6.4 均匀平面波对理想导体表面的斜入射 现象：电磁波入射到不同媒质 分界面上时，一部分波 被分界面反射，一部分 波透过分界 面。 均匀平面波垂直入射到两种不同媒质的分界平面 入射方式：垂直入射、斜入射； 媒质类型： 理想导体、理想介质、导电媒质 分析方法： 6.1 均匀平面波对分界平面的垂直入射 6.1.1 对导电媒质分界面的垂直入射 x 沿x方向极化的均匀平面波从 媒质1 垂直入射到与导电媒质 2 的分界平面上。 z 0中，导电媒质1 的参数为 z 0中，导电媒质 2 的参数为 媒质1中的入射波： 媒质1中的反射波： 媒质1中的合成波： 媒质2中的透射波： 在分界面z = 0 上，电场强度和磁场强度切向分量连续，即 定义分界面上的反射系数Γ为反射波电场的振幅与入射波电场振幅之比、透射系数τ为透射波电场的振幅与入射波电场振幅之比，则 讨论：  和 是复数，表明反射波和透射波的振幅和相位与入射波 都不同。 若两种媒质均为理想介质，即1= 2= 0，则得到 6.1.2 对理想导体表面的垂直入射 x z=0 媒质1为理想介质，σ1＝0 媒质2为理想导体，σ2＝∞ 媒质1中的入射波： 媒质1中的反射波： 则 媒质1： 媒质2： z y 媒质1中合成波的电磁场为 合成波的平均能流密度矢量 瞬时值形式 理想导体表面上的感应电流 合成波的特点 (n = 0,1,2,3,…) (n = 0 ,1,2,3,…) 媒质1中的合成波是驻波。电场振幅的最大值为2Eim，最小值为0 ；磁场振幅的最大值为2Eim /η1，最小值也为0。 坡印廷矢量的平均值为零，不发生能量传输过程，仅在两个 波节间进行电场能量和磁场能的交换。 合成波的相位仅与时间有关，即空间各点合成波的相位相同，振幅随z按正弦关系变化。 解：(1) 电场强度的复数表示 （1）求相伴的磁场强度 ； （2）若在传播方向上z = 0处，放置一无限大的理想导体平板， 求区域 z 0 中的电场强度 和磁场强度 ； （3）求理想导体板表面的电流密度。 例6.1.1 一均匀平面波沿+z方向传播，其电场强度矢量为 写成瞬时表达式 (2) 反射波的电场为 反射波的磁场为 在区域 z 0 的合成波电场和磁场分别为 (3) 理想导体表面电流密度为 6.1.3 对理想介质分界面的垂直入射 设两种媒质均为理想介质，即 1= 2= 0 讨论 当η2η1时，Γ 0，反射波电场与入射波电场同相 当η2η1时，Γ 0，反射波电场与入射波电场反相 媒质1中的入射波： 媒质1中的反射波： 媒质1中的合成波： 媒质2中的透射波： 合成波的特点 这种由行波和纯驻波合成的波称为行驻波（混合波） 当β1z=－nπ，即z=－nλ1/2 (n=0,1,2,…)时，有 合成波电场振幅（ 0） 当β1z=－(2n＋1)π/2，即z=－(n/2+1/4)λ1 (n=0,1,2,…)时，有 当β1z=－nπ，即z=－nλ1/2 (n=0,1,2,…)时，有 合成波电场振幅（ 0） 当β1z=－(2n＋1)π/2，即z=－(n/2+1/4)λ1 (n=0,1,2,…)时，有 驻波系数 S 定义为合成波电场强度振幅的最大值与最小值之比，即 驻波系数(驻波比) S 讨论： 当Г＝0 时，S ＝1，为行波； 当Г＝±1 时，S =  ，是纯驻波。 例6.1.2 在自由空间，一均匀平面波垂直入射到半无限大的无耗介质平面上，已知自由空间中，合成波的驻波比为3，介质内传输波的波长是自由空间波长的1/6，且分界面上为驻波电场的最小点。求介质的相对磁导率和相对介电常数。 由于界面上是驻波电场的最小点，故 媒质2中的平均功率密度 媒质1中沿z方向传播的平均功率密度 电磁能流密度 由 电磁波在多层介质中的传播具有普遍的实际意义。以三种介质形成的多层媒质为例，说明平面波在多层媒质中的传播过程及其求解方法。 如图所示，当平面波自媒质①向分界面垂直入射时，在媒