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微电子学概论第三章 庄庆德 2003.8 第三章 VLSI基础 3.1 IC (Integrated Circuit)概述 3.2 双极型集成电路基础 3.3 MOS集成电路基础 第三章 VLSI基础 3.1 IC (Integrated Circuit)概述 IC历史 3.2 双极集成基础3.2.1双极型集成电路中的晶体管 Al 平面图 双极型晶体管特性 双极型晶体管特性 金属栅，n沟道 MOS晶体管 MOS晶体管特性 MOS晶体管特性 基本MOS电路 2.5.2 MIS | 2.5.2 MIS 2.5.2 MIS | 2.5.2 MIS 2.5.2 MIS | 2.5.2 MIS 2.5.2 MIS | 2.5.2 MIS 2.5.2 MIS | 2.5.2 MIS 2.5.2 MIS | 2.5.2 MIS CMOS集成电路构成 * * 集成度，特征尺寸，芯片(Chip)，圆片(wafer) 功耗，延迟时间，可靠性 定义:在半导体或其他基板上制作含有多个器件的电路系统。 结构，成品率 1947 晶体管发明 1952 IC设想 1958 IC诞生 1962 DTL,TTL,MOS 1968 MOS存储器 1971 微处理器 1978 64kRAM 10万Tr VLSI 1985 1M DRAM 225万Tr VLSI 目前 0.18微米，CMOS技术，1G(109 Tr) n-Si i p E B C n+ p p+ p+ n+ n+ 隐埋层 隔离区 E C B B p型衬底 隐埋层(n+) 外延，生长n层 隔离(P+) 硼扩散（基区） 磷扩散（e,c) 引线孔 Al引线 Vce Ice 饱和 线性 截止 共发射极电流增益 β 集电极-发射极反向饱和电流 Iceo 基极-发射极反向饱和电流 Ibeo 集电极-基极反饱和电流 Icbo 集电极-发射极击穿电压 BVceo 特征频率 fT 最大耗散功率 Pmax RTL电路 A B Vout VH=1V, VL=0.2V 速度慢，逻辑摆幅小，抗干扰差 Vcc TTL电路 多发射极输入 Vout VH=1.4V, VL=0.2V, T1的抽取作用使截止速度提高 在T3并联达林顿，提高输出能力，成为5管结构 T1 T2 T3 T4 Vcc=5V 典型双极型门电路的特性比较 ECL LSTTL STTL TTL 门电路 2 9.5 3 10 延时 (ns) 25 2 20 10 功耗 (mW) 0.8 3 3 3 逻辑摆幅(V) 高速 低功耗 肖特基、低功耗 高速 肖特基钳位抗饱和 一般 普通 评价 结构 p-Si S G D n+ n+ 3.3 MOS集成基础3.3.1 MOS集成电路中的晶体管 S G D p-Si p型衬底 源漏扩散 栅氧化 引线孔 Al引线 Vds Ids 饱和 线性 截止 跨导 gm 阈值电压 VT 源漏击穿电压 BVds 特征频率 fT 最大耗散功率 Pmax 倒相器 Vout Vcc Vin Vout Vcc Vin CMOS: 互补MOS 发射 | Shoot 基区渡越 | The 基 area 渡 is more 3.3.3 CMOS集成电路 NMOS与PMOS PMOS NMOS VS=０ VS=０ Vds=5 Vds=－５ VG VG VT=-１V VT=+1V VT-１V VT１V 导通条件 发射 | Shoot 基区渡越 | The 基 area 渡 is more 3.3.3 CMOS集成电路 CMOS开关（传输门） PMOS NMOS VS=０ Vcc=+5 Vin VG ON ON 工作条件 Vin 高 OFF OFF Vin 低 3.