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单晶硅基础知识 结构 晶向与晶面 二维成核 单晶生长 硅单晶结构 晶胞原子数计算 八个顶点，每个顶点被8个晶胞共用，所以有8/8；六个面心，每个原子被2个晶胞共用，所以有6/2；对角线1/4处有一个原子共4个原子，为一个晶胞所有，所以有4； 结论：每个晶胞有8/8+6/2+4*1=8个原子。 特点：一个面上相对的两个对角线相对应的位置1/4处有两个硅原子，正好和顶点，相邻的面心形成正三角形。 晶向与晶面 首先我们用坐标表示原子的位置。 从上图我们可以了解金刚石结构中各原子所处的坐标位置。 接下来我们讲一下晶面。 密勒指数有什么用？ 就是用一个面在三维坐标上的截距的倒数来表示这个面，这三个数就是密勒指数。 表示方法为（h,k,l） 下面是用密勒指数来表示的几个面 晶面的区分 晶面的立体图 晶向与晶向指数 什么是晶向？晶体中任何一条穿过许多质点的直线方向，称为晶向。 晶向指数的表达方法 什么是晶向族？ 晶面间距 了解什么是晶向夹角 知道一点我们最头疼的公式也不赖，这就是晶向晶面关系表是怎么来的，好好看看，以后可能有用 举个例子看看 问题分析 问题1： 现在搞清楚了什么是晶面和晶向了，我们的问题似乎还没有解决，那为什么111单晶放肩时六条线，转肩过后就剩下三条线了呢？ 问题2： 同样的问题，为什么100单晶放肩时候有4条线呢，转肩后也有4条线，这与放肩的4条线有什么关系呢？ 问题2 问题1 晶核的形成 液体内部过冷自发形成的叫自发晶核；在籽晶、埚壁、液体中的非溶性杂质等表面上产生的晶核，为非自发晶核。 形成过程：液态远程规律性排列破坏，进程保持着动态规则排列的小集团，就是晶胚。晶胚临界半径rc，过冷度越大临界半径越小（意思就是不“临界”了，能够成为另一种东西了），越容易成为晶核。 二维晶核的形成 熔体系统能量的涨落，一定数量的液相原子差不多同时落在平滑界面上的临近位置，形成一个具有单原子厚度d并有一定宽度的平面原子集团，称为二维晶核。这个集团需要超过结晶条件的临界值才能稳定，这个临界的半径为r；即需要一定的过冷度，过冷度越大临界半径越小，越容易成核。这个平面的晶核形成后，它的周围形成台阶，其他原子顺着台阶铺展，原子铺满整个界面一层，生长面成了理想平面，然后能够形成新的二维晶核，重复生长，这就是“二维表面成核，侧向生长”理论模型。 晶体的长大 晶核出现后，如何生长为晶体？从宏观上看是晶体的界面向溶液中逐渐推移的结果。微观上是液体原子扩散到固相表面，按晶体空间点阵的规律占据适当的位置稳定的和晶体结合起来。 接纳的速度。接纳的速度也就是晶体生长的速度，取决于长大的方式和长大的线速度，取决于晶体本身结构和晶体生长界面的结构，取决于晶体界面的曲率等因素。 外部因素：生长界面附近的温度分布状况、结晶时潜热的释放速度和逸散条件决定晶体长大方式和生长速度。 生长界面结构 首先在过冷界面处形成二维晶核，然后侧向生长，直到铺满一层。 如右图所示：晶体在扭折处不断生长，直至铺满整个平面。 放肩时凸界面 细颈的作用 无为错单晶的生长工艺概述 （1）籽晶的直径要小，这样籽晶所包含的位错数就小，而且籽晶与熔硅接触时籽晶内产生的热应力也小；缩颈区要有一定的长度。在这一阶段必须使固液界面保持凸向熔体，根据上面的讨论，这样有利于籽晶中的位错滑移出籽晶的侧面。然后再小心地将生长中的晶体直径慢慢放大到所需要的尺寸。 （2）晶体生长时，应选择生长方向使他与111滑移面之间有一个大角度，并使细颈的长度与直径之比大于10.由于硅中的位错都在111滑移面上，晶体中的任何位错将趋向于生长到表面，而在细颈变长的过程中消失。 （3）提供足够的空位有助于位错通过攀移至表面。为此目的在引颈阶段要采用较高的拉速，较高的拉速对应于较快的冷却速率，因此可以使晶体中存在高过饱和度的空位。 * * 咱们先讨论一下问题2，可以知道100单晶如图，当放肩时原子依照立体形式，但是遵照100方向向斜下方铺开；肩部出现小平面，当拉速提升，原子被强迫拉直的时候，小平面处的原子重新被拉直按照100四方体堆积出现4条棱线。 同理，咱们讨论一下问题1，111单晶如图，当放肩时原子依照立体形式，但是遵照111方向向斜下方铺开；肩部出现六条棱线，当拉速提升，原子被强迫拉直的时候，主棱线重新显现。