模拟电子教案01__ch01----半导体基础知识---二极管.pptVIP

第1章 常用半导体器件 1.1 半导体基础知识 1.2 半导体二极管 2. 二极管的微变等效电路 微变等效电路是小信号模型。是指二极管的端电压或电流在某一固定值附近作微小变化时的模型。 作 业（P69） 3、4、6、7 （2）如果ui为幅度±4V的交流三角波，波形如图（b）所示，分别采用理想二极管模型和理想二极管串联电压源模型分析电路并画出相应的输出电压波形。 解：①采用理想二极管 模型分析。波形如图所示。 0 -4V 4V ui t 2V 2V uo t 0 2.7V uo t 0 -4V 4V ui t 2.7V ②采用理想二极管串联电压源模型分析，波形如图所示。 半导体二极管的应用 在整流电路中的应用 整流 —— 将交流电变成直流电的过程 整流电路 —— 完成整流功能的电路 常见的整流电路有 半波整流电路 全波整流电路 桥式整流电路 设 桥式整流电路 + _ uO Tr u2 + _ u1 a b + _ RL D1 D2 D4 D3 1. 工作原理 a. 当u20时 输出波形 电流流动方向 D1 D2 D4 D3 + _ uO Tr u2 + _ u1 a b + _ RL b. 当u20时 输出波形 电流流动方向 + _ uO Tr u2 + _ u1 a b + _ RL D1 D2 D4 D3 在检波电路中的应用（无线通信） 用音频信号去控制高频信号的幅值 音频信号 高频信号 载波信号 调制的过程 O t u u1 t O u2 O t 音频放大器 话筒 高频振荡器 调 制 器 发 射 器 u2 u1 u 检波的过程 u1 O t u2 O t O t u3 D C L C2 u3 高 放 大 器 频 低 频 放 大 C1 R2 R1 u2 u1 + – + – + – 器 限幅电路 工作原理 a. 当ui较小使二极管D1 、D2截止时 电路正常放大 b. 当ui使二极管D1 或D2导通时 R D2 A Ri + – + – D1 + – ui t O 输入电压波形 R D2 A Ri + – + – D1 + – 输入端电压波形 ui t O 2UF R D2 A Ri + – + – D1 + – 用动态电阻来等效。如图所示： * 1.1 半导体基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 晶体三极管 1.4 场效应管 在物理学中，根据材料的导电能力，可以将他们划分导体、绝缘体和半导体。 典型的半导体是硅Si和锗Ge，它们都是4价元素。 硅原子 锗原子 硅和锗最外层轨道上的四个电子称为价电子。 本征半导体的共价键结构 束缚电子 在绝对温度T=0K时，所有的价电子都紧紧束缚在共价键中，不会成为自由电子，因此本征半导体的导电能力很弱，接近绝缘体。 一. 本征半导体 本征半导体——化学成分纯净的半导体晶体。 制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”。 这一现象称为本征激发，也称热激发。 当温度升高或受到光的照射时，束缚电子能量增高，有的电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，成为自由电子。 自由电子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，称为空穴。 空穴 可见本征激发同时产生电子空穴对。 外加能量越高（温度越高），产生的电子空穴对越多。 与本征激发相反的现象——复合 在一定温度下，本征激发和复合同时进行，达到动态平衡。电子空穴对的浓度一定。 常温300K时： 电子空穴对的浓度 硅： 锗： 自由电子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空穴 电子空穴对 自由电子 带负电荷 逆电场运动 电子流 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 自由电子 E ＋ － ＋总电流 载流子 空穴 带正电荷 顺电场运动 空穴流 本征半导体的导电性取决于外加能量： 温度变化，导电性变化；光照变化，导电性变化。 导电机制 二. 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量杂质元素后的半导体称为杂质半导体。 1. N型半导体 在本征半导体中掺入五价杂质元素，例如磷，砷等，称为N型半导体。 N型半导体 多余电子 磷原子 硅原子 多数载流子——自由电子 少数载流子—— 空穴 + + + + + + + + + + + + N型半导体 施主离子 自由电子 电子空穴对 在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓等。 空穴 硼原子 硅原子 多数载流子—— 空穴 少数载流子——自由电子 － － － － － － － － － － － － P型半导体 受主离子 空穴 电子空穴对 2. P型半导体 杂质半导