概念深入.pptxVIP

12.1 非理想效应亚阈值电流: 定义亚阈值电流12.1 非理想效应亚阈值电流: 比较施加小的漏电压时，n沟道MOSFET沟道表面势示意图堆积状态：势垒很高→电子无法跃过→无法形成表面电流弱反型状态：势垒较低→电子有一定的几率越过势垒→形成亚阈值电流强反型状态：势垒极低→大量电子越过势垒→形成沟道电流12.1 非理想效应 亚阈值电流: 电压特性 IDsub-VDS曲线的斜率是半导体掺杂浓度和界面态密度的函数。可通过对曲线斜率的测量来实验确定氧化层-半导体界面态密度。12.1 非理想效应 沟道长度调制效应:机理12.1 非理想效应 沟道长度调制效应:模型1视作漏-衬pn结空间电荷区的扩展12.1 非理想效应沟道长度调制效应:模型212.1 非理想效应 沟道长度调制效应:影响因素ID的实测值高于理论值在饱和区，实测ID随VDS增加而缓慢增加12.1 非理想效应 迁移率变化:纵向电场的影响(1) 表面散射12.1 非理想效应 迁移率变化:纵向电场的影响(2)体迁移率(典型值600cm2/Vs, NMOS） 有效迁移率：表面迁移率有效迁移率经验表达式：典型值0.03随VGS-VTn↑而↑变缓 12.1 非理想效应 迁移率变化:漂移速度与电场的关系峰值漂移速度饱和漂移速度峰值电场强度（104V/cm)12.1 非理想效应 迁移率变化:Si的情形高场：迁移率随E增加而下降强场：迁移率与E成反比低场：迁移率不随E而变（104V/cm)12.1 非理想效应 迁移率变化:GaAs、InP的情形与Si相比，GaAs、InP的特点：存在漂移速度峰值迁移率大存在负微分迁移率区饱和漂移速度小12.1 非理想效应 迁移率变化:速度饱和效应漏源电流下降提前饱和 饱和漏源电流与栅压成线性关系饱和区跨导与偏压及沟道长度无关截止频率与栅压无关12.1 非理想效应 弹道输运非弹道输运MOSFET沟道长度L0.1μm，大于散射平均自由程；载流子从源到漏运动需经过多次散射；载流子运动速度用平均漂移速度表征；弹道输运MOSFET沟道长度L0.1μm，小于散射平均自由程；载流子从源到漏运动大部分没有一次碰撞-弹道输运；高速器件、纳米器件；12.2 按比例缩小为什么要缩小MOSFET尺寸?提高集成度：同样功能所需芯片面积更小提升功能：同样面积可实现更多功能降低成本：单管成本降低改善性能：速度加快，单位功耗降低若尺寸缩小30％，则 栅延迟减少30％，工作频率增加43％ 单位面积的晶体管数目加倍 每次切换所需能量减少65％，节省功耗50％12.2 按比例缩小缩小方式完全按比例缩小(Full Scaling)尺寸与电压按同样比例缩小电场强度保持不变最为理想，但难以实现恒压按比例缩小(Fixed Voltage Scaling)尺寸按比例缩小，电压保持不变电场强度随尺寸的缩小而增加，强场效应加重一般化按比例缩小(General Scaling)尺寸和电场按不同的比例因子缩小迄今为止的实际做法12.2 按比例缩小完全按比例缩小:规则12.2 按比例缩小完全按比例缩小:结果12.2 按比例缩小完全按比例缩小:小结表面空间电荷区厚度xdT漏、源区扩散结深rj短沟道长沟道n沟道MOSFET窄沟道宽沟道n沟道MOSFET12.3 阈值电压修正 VT与L、W的相关性12.3 阈值电压修正 VT随L的变化:表面空间电荷 短沟道效应12.3 阈值电压修正VT随L的变化:ΔL的计算源、漏pn结结深表面空间电荷区宽度漏-体结空间电荷区宽度源-体结空间电荷区宽度12.3 阈值电压修正VT随L的变化:ΔVT的计算若沟道长度L短到与漏-源结深rj相当时，阈值电压VT与沟道长度L有关，此时VT随L的减少而减少VDS012.3 阈值电压修正 VT随L的变化:关系曲线VBS012.3 阈值电压修正VT随W的变化:表面电荷 窄沟道效应12.3 阈值电压修正VT随W的变化:ΔVT的计算若沟道宽度W窄到与表面空间电荷区宽度xdT相当时，阈值电压VT与沟道宽度W有关，此时VT随W的减少而增加12.3 阈值电压修正 VT随W的变化:关系曲线12.3 阈值电压修正离子注入调整VT:原理p型半导体表面注入受主杂质Na（如B）→半导体表面净掺杂浓度↑→表面更难以反型→VT↑受主注入剂量（单位面积注入的离子数）注入前的阈值电压p型半导体表面注入施主杂质Nd（如P）→半导体表面净掺杂浓度↓→表面更容易反型→VT↓施主注入剂量（单位面积注入的离子数）注入前的阈值电压12.3 阈值电压修正 离子注入调整VT:注入杂质分布1、Delta函数型分布平均注入掺杂浓度注入前的掺杂浓度 2、阶跃函数型分布 平均注入掺杂浓度注入前的掺杂浓度注入深度 3、高斯函数型分布：更接近实际情况，分析较复杂。反型时，xdTxI,VT由Ns决定；反型