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第3章 节 3.2-3.3 通信用光器件 光纤通信.ppt
-40~+70 -40~+70 工作温度/oC 1~1.25 0.8~2.0 稳定性/dB 40~55 方向性/dB 0 4×4 7~8 8×8 11~12 32 ×32 17~19 3.4 5.6/1.8 10.8/0.7 插入损耗/dB 分路比 0.5/0.5 0.3/0.7 0.1/0.9 1.31或1.55 1.31或1.55 工作波长/ n×n星型 2×2型 耦合器 表3.6 耦合器的一般特性 25 55(滤波) 隔离度/dB 2~3 0.5~1 附加损耗/dB 20~30 200 波长间隔/nm 1.31和1.55 1.31和1.55 工作波长/ 6端 2端 波分复用器 表3.7 波分复用器的一般性能 对APD特性新引入的参数是倍增因子和 附加噪声指数 1. 倍增因子 倍增因子g(一次光生电流产生的平均增益 的倍数)定义为APD输出光电流Io和一次光生 电流IP的比值。 (3.25) APD的响应度比PIN增加了g倍。 (3.26) U为反向偏压,UB为击穿电压,n为与材料特性和入射光波长有关的常数,R为体电阻。 当U≈UB时,RIo/UB1,上式可简化为 (3.27) 2. 过剩噪声因子 APD的均方量子噪声电流为 〈i2q〉=2eIPBg2 (3.26a) 引入新的噪声成分, 并表示为附加噪声因子F。F(1)是雪崩效应的随机性引起噪声增加的倍数,设F=gx,APD的均方量子噪声电流应为 〈i2q〉=2eIPBg2+x (3.26b) 式中, x为附加噪声指数。 同理,APD暗电流产生的均方噪声电流应为 〈 i2d〉=2eIdBg2+x (3.27) 附加噪声指数x与器件所用材料和制造工艺有关 Si-APD的x=0.3~0.5,Ge-APD的x=0.8~1.0,InGaAs-APD的x=0.5~0.7。 当式(3.26)和式(3.27)的g=1时,得到的结果和PIN相同。 3.2.4 光电二极管一般性能和应用 表3.3和表3.4列出半导体光电二极管(PIN和APD)的一般性能。 APD是有增益的光电二极管,在光接收机灵敏度要求较高的场合,采用APD有利于延长系统的传输距离。 灵敏度要求不高的场合,一般采用PIN-PD。 -5~-15 -5~-15 工作电压 /V 1~2 0.5~1 结电容 Cj/pF 0.2~1 2~10 响应时间 2~5 0.1~1 暗电流 Id/nA 0.6(1.3 ) 0.4(0.85 ) 响应度 1.0~1.6 0.4~1.0 波长响应 InGaAs-PIN Si-PIN 表3.3 PIN光电二极管一般特性 0.5~0.7 0.3~0.4 附加噪声指数 x 20~30 30~100 倍增因子 g 40~60 50~100 工作电压 /V 0.5 1~2 结电容 Cj/pF 0.1~0.3 0.2~0.5 响应时间 10~20 0.1~1 暗电流 Id/nA 05~0.7 0.5 响应度 1~1.65 0.4~1.0 波长响应 InGaAs-APD Si-APD 表3.4 雪崩光电二极管(APD)一般性能 3.3 光 无 源 器 件 无源光器件的要求: 插入损耗小、反射损耗大、工作温度范围宽、性能稳定、寿命长、 体积小、价格便宜、便于集成等。 无源光器件作用:构成光纤通信系统,扩展功能,提高性能。 3.3.1 连接器和接头 连接器是实现光纤与光纤之间可拆卸(活动)连接的器件, 主要用于光纤线路与光发射机输出或光接收机输入之间,或光纤线路与其他光无源器件之间的连接。 表 3.5 光纤连接器一般性能 40~50 PC型 陶瓷 -40~+80 陶瓷 -20~+70 不锈钢 工作温度/oC 不锈钢 寿命(插拔次数) 35~40 FC型 反射损耗/dB 互换性/dB 重复性/d
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