电子科技大学2014年硕士研究生电力电子技术真题_电子科技大学考研真题.pdfVIP

电子科技大学 2014 年攻读硕士学位研究生入学考试试题 考试科目：814 力 子技术 ：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上无效。 一、单项选择题。(每小题2 分，共24 分) 1.当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在 ( ) A.导通状态 B.关断状态 C.饱和状态 D.不定 2. 若增大SPWM 逆变器的输出电压基波频率，可采用的控制方法是( ) A.增大三角波幅度 B.增大三角波频率 C.增大正弦调制波频率 D.增大正弦调制波幅度 3. 采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为( ) A.减小输出幅值 B.增大输出幅值 C.减小输出谐波 D.减小输出功率 4.单相半波可控整流电阻性负载 路中，控制角 的最大移相范围是( ) A.90° B.120° C.150° D.180° 5.星型连接的三相三线交流调压 ，带电阻负载情况下，触发角 的移相范围为 ( ) A.90° B.120° C.150° D.180° 6.升降压斩波 路呈现升压状态的条件为( ) （其中 为导通比）。 A. 0 0.5 B. 0.5 1 C. 0 1 D. =0.5 7.三相半波可控整流 路带电阻性负载，触发角 的移相范围是 （ ） A、30°～150 B 、0°～120° C 、15°～125° D 、0°～150° 8.IGBT 是一个复合型的器件，它是 （ ） A、GTR 驱动的MOSFET B 、MOSFET 驱动的GTR C、MOSFET 驱动的晶闸管 D 、MOSFET 驱动的GTO 电力电子技术试题第 1 页 共 6 页 9. 降压斩波 路中，电源电压U = 16V，负载电压U = 12V，斩波周期T=4ms ，则 d o 开通时Ton= （ ） A、1ms B 、2ms C 、3ms D 、4ms 10.逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成( ) A.大功率三极管 B.逆阻型晶闸管 C.双向晶闸管 D.可关断晶闸管 11.功率晶体管GTR 从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为 （ ） A ．一次击穿 B ．二次击穿 C ．临界饱和 D ．反向截止 12.可工作在第一象限和第四象限的变流 是 （ ） A ．三相半波可控变流 B ．单相半控桥 C ．接有续流二极管的三相半控桥 D ．接有续流二极管的单相半波可控变流 二、 英文名词缩写解释题。（每题2 分，共18 分，不写英文单词，只需写出中 文解释） 1、 SMPS