现代半导体器件第五讲.pdf

现代半导体器件 刘 飞 Tel Email：liufei@mail.sysu.edu.cn 中山大学理工学院 第二章 PN 结 2.1 平衡PN结能带图及空间电荷区 2.2 理想PN结的伏安特性 2.3 实际PN结的特性 2.4 PN结的击穿 2.5 PN结的电容 2.4 PN结的击穿 一、PN结的击穿 1. PN结击穿的定义:(反向偏压下) 2. 击穿电压VB：(限制了最大工作电压) 3. PN结击穿的应用： (1) 稳压二极管:(利用V 附近的I－V关系) B (2) 崩越二极管：(微波振荡) 2.4 PN结的击穿 PN结的反向击穿 2.4 PN结的击穿 二、PN结空间电荷区的电场 1. PN结的势垒区:(室温下杂质是完全电离、均匀掺杂) qN x A qN x A (1) PN结势垒区为电中性： D n A p (2) 突变PN结的厚度与掺杂浓度的关系： x N (a)表达式： n A x N p D a.N、P区厚度与掺杂浓度成反比 (b) 物理意义： b.重掺杂PN结是何种情况？ 2.4 PN结的击穿 (3) PN结势垒区中的电力线分布： (a) 势垒区中电力线的密度随x变化。 (b) 电力线并没有贯穿整个势垒区。 2. PN结势垒区中自建电场强度的计算： (1) 解题思路： (a) 利用电场强度与电力线数目的关系式。 (b) 求出势垒区中最大的电场强度Emax 。 (c ) 写出E(x)的表达式。 (d) 根据V和E(x)的关系式，求出通解。 2.4 PN结的击穿 P N x0 x0 -xP 0 xn x PN结的空间电荷区电力线分布图 2.4 PN结的击穿 (2) 求解过程： qN x A qN x qN x D n D n A p E (a) 最大场强： max ε ε ε ε ε ε A s 0 s 0 s 0 (b) 电场强度通式： qN x x E x D n −(0 )x x ( ) (1 ) n