(仪器分析）21.2方法与技术知识.ppt

第二十一章 微流控分析芯片;21.2.1 芯片材料与设计加工 ;二、膜制备技术;３.蒸发 真空加热（金、硅等或三氧化二铝、二氧化硅等）→气化（原子或分子）→沉积（基片表面成膜） ４.溅射 ：多晶硅、二氧化硅和氮化硅膜。 　　 真空电离（氩、氦） →轰击 （电场作用离子轰击阴极靶）→溅射（靶原子、分子） →薄膜（阳极基片）。 　　基片上沉积铝、钛、铬、铂、钯等金属薄膜和无定形硅、玻璃、压电陶瓷等非金属薄膜。 　　已逐渐取代了蒸发镀膜。 ;三、微通道及微器件的加工技术;2.阳极键合(anodic bonding)法;21.2.2 微器件与微流体的驱动和控制;微流体驱动系统的分类;微致动器;（1）压电微泵 ;（2）热气动微泵 ;（3）静电微泵 ;静电微泵 ;2. 微阀的原理与加工技术;热气动致动单向阀;（2）被动阀;21.2.3 微流控芯片中的各种特殊效应; 降低弯道效应的主要方法：改变通道构型;数学优化获得的构型;效果对比;2. 微通道表面改性与多相层流;3. 层流效应与分子扩散效应 ;层流效应的应用：无膜过滤与过滤;层流效应的应用：微流体开关 ;21.2.4 微流控芯片中的进样技术;进样技术;2. “T”形通道进样;3. 门式进样;4. 双 “T”形通道进样（基于体积进样）;5. 芯片进样过程中存在的问题 ;21.2.5 微流控芯片中的检测技术;1. 激光诱导荧光检测器 ;激光诱导荧光检测器 ;2.集成化的LED检测器 ;3.电致化学发光检测器 ; 内容选择：