ic生产中alsicu工艺稳定性分析-stability analysis of als icu process in ic production.docx

目录第一章绪论.........................................................11.1半导体产业的发展...........................................11.2半导体技术的发展...........................................21.3半导体制造的技术...........................................31.4半导体制造技术的发展趋势...................................61.5本课题的研究背景和研究内容.................................8第二章物理气相淀积................................................92.1金属化及铝金属在IC生产中的应用92.2PVD工艺技术及原理介绍132.3等离子体在PVD工艺中的重要性及其形成18第三章铝金属化...................................................243.1铝金属化形成结的尖凸现象..................................243.2铝金属化产生的电迁移现象.................................27第五章结论........................................................45参考文献...........................................................47发表论文和科研情况说明.............................................48致谢..............................................................49第一章绪论在20世纪，伴随着从机械技术派生出的产品到集成电子技术产品变化的技术革命，数字CD取代了磁带播放机，而现在的汽车发动机也已由电子点火系统控制。电子计算机也在社会的每个方面迅速起着作用，促进资源地有效利用。从由电子技术引起变化的广度看，这场才革命刚刚开始。半导体集成电路是这个时代所创造的当之无愧的奇迹之一，正是这种能够将数以千万计的元器件，集成于一块面积只有几平方厘米的硅芯片上的能力造就了今天的信息时代。半导体技术对整个社会产生了深远的影响，因此被称为“产业的种子”。1.1半导体产业的发展[1]半导体产业的发展是在20世纪上半叶开发的技术上培育出来的，真空管电子学、无线电通讯、机械制表机及固体物理，这些构成了那时的高科技产业。1906年LeeDeForest发明了放大信号的三极真空管，并命名为音频管，此后真空管变成了现代收音机、电视机和整个电子学领域的主要电子器件。直到20世纪50年代，第二次世界大战战后，贝尔电话实验室的科学家们一直努力研究固态硅和锗半导体晶体，终于在1947年第一个固态晶体管在贝尔电话实验室发明诞生了。半导体产业在20世纪50年代开始迅速成长为以硅为基础的商品化晶体管技术。1957年美国的仙童半导体公司（FairchildSemiconductor）制造出了第一个商用平面半导体，从此半导体产业进入了平面技术时代。半导体产业向前迈出的最重要一步是将多个电子元件集成在一个硅衬底上，被称为集成电路（IntegratedCircuit）或简称IC，它是由仙童半导体公司的罗伯特·诺伊思（RobertNoyce）和德州仪器公司（TexasInstruments）的杰克·基尔比（JackKilby）于1959年分别独自发明的。在一块硅表面上可以制造出许多不同的半导体器件，如晶体管、二极管等，它们被连接成一个有特定芯片功能的电路。自集成电路问世以来，电路集成技术已经有了巨大提升，直到今天，一块芯片上的器件数量还在不断增长。集成电路的一个非常重要挑战就是半导体制造工艺的水平，通过改善工艺技术，以生产高集成度的甚大规模集成电路。1.2半导体技术的发展半导体技术发展得非常快，遵循着著名的摩尔定律[2]，每18个月一块芯片上的晶体管数就翻一翻。自从人类发明晶体管以来，半导体技术经历了硅晶体管、集成电路、超大规模集成电路、甚大规模集成电路等几代，发展速度之快是其他产业所没有的。随着器件尺寸的持续缩小、器件工艺技术的不断提高以及一些创新方法的采用，实现某些特定功能的灵巧的发明，芯片的复杂性也一直是以指数增长的速度在增加。这主要是由于缩小器件的几何尺寸，可以使得同样大小的硅片面积上能够集成更多的器件，或得到更多的微芯片；改进工艺技术也可