基本技术知识篇-光信息的采集和显示技术知识 光信息存储技术知识电子教案.pptVIP

第三部分 基本技术篇;基本技术篇1光信息的采集和显示技术;光信息的采集和显示技术;4.1光信息的采集;图像传感器 ;图像显示技术： 液晶显示(LCD)、等离子体显示(PDP)、电致发光显示(ELD)、真空荧光显示(VFD)和电致变色显示(ECD)等。 CRT：电子扫描。 LCD:它利用了液晶的电光效应，通过电路控制液晶单元的透射率及反射率，从而产生不同灰度层次及色彩丰富的图像。 PDP: 基于一利用稀有气体 （惰性气体）放电所产生的真空紫 外线激励荧光粉发光的显示技术。 ;;机械式图像信息传感器;图象的输入装置;电荷耦合器（CCD）;线阵固体图像感器的发展曲线 ; 固体图象传感器(Solid State Imaging Sensor ——缩写为SSIS)主要有三大类型、一种是电荷耦合器件(Charge Coupled Device简称CCD)，第二种是MOS图象传感器，又称自扫描光电二极管列阵(Self Scanned Photodiode Array，简称SSPA)，第三种是电荷注入器件(Charge Injection Device，简称CID)。目前，前两种用得比较多。 同电子束摄像管相比，固体图象传感器有以下显著优点： (1)全固体化，体积很小，重量轻，工作电压和功耗都很低；耐冲击性好．可靠性高，寿命长。 (2)基本上不保留残象(电子束摄象管有15~20％的残象)，无象元烧伤、扭曲，不受电磁干扰。 (3)红外敏感性。硅的SSPA光谱响应：0.20~1.0；CCD可作成红外敏感型；CID主要用于红外敏感器件。 (4)象元尺寸的几何位置精度高，因而可用于不接触精密尺寸测量系统。 (5)视频信号与微机接口容易 主要应用领域：①小型化黑白/彩色TV摄象机；②传真通讯系统；③光学字符识别（OCR: Optical Character Recognition）；④工业检测与自动控制；⑤医疗仪器；⑥多光谱机载和星载遥感；⑦天文应用；⑧军事应用。 ;CCD图像传感器 CCD器件的结构 ; 对于光敏单元，当受到光线照射时，在光子的作用下，半导体内产生电子空穴对，空穴被排斥，电子被电子势阱俘获。这种光生电子作为反映光强的载体——电荷包被收集，成为光电荷注入，这就是CCD摄像器件的光电变换过程。势阱内电荷包的大小与光照强度和光照时间成正比?? 光敏单元电子势阱的电荷包可以通过转移栅的作用并行地转移到读出移位寄存器（电荷转移单元）中，读出移位寄存器在读出脉冲（三相或四相脉冲）的作用下把各个来自光敏单元的电荷包读出，从而获得各个像素的亮度值。 ;;CMOS图像传感器 CMOS图像传感器从原理可分为无源像素传感器PPS(Passive-Pixel Sensor)和有源像素传感器APS(Active- Pixel Sensor)两大类。从结构上讲，主要包括光敏二极管型无源、有源像素图像传感器和光电栅型有源像素图像传感器。 ; 下图简单的说明了光敏二极管型无源图像传感器和光敏二极管型有源图像传感器感光单元的结构 。 ; CCD 和 CMOS 使用相同的光敏材料， 因而受光后产生电子的原理相同, 并且具有相同的灵敏度和光谱特性，但是读取过程不同：CCD 是在同步信号和时钟信号的配合下以帧或行的方式转移，整个电路非常复杂；CMOS 则以类似 DRAM 的方式读出信号，电路简单。CCD的时钟驱动、逻辑时序和信号处理等其他辅助功能难以与 CCD 集成到一块芯片上，这些功能可由 3～8 个芯片组合实现，同时还需要一个多通道非标准供电电压来满足特殊时钟驱动的需要；而借助于大规模集成制造工艺，CMOS 图像传感器能容易地把上述功能集成到单一芯片上。 CCD 大多需要三种电源供电，功耗较大，体积也比较大. CMOS 只需一个 (3～5) V 单电源，其功耗相当于 CCD 的 1/10；高度集成 CMOS 芯片可以做的比人的大拇指还小。到目前为止，面向数码相机的CCD固体摄像元件的最高像素已超过800万，而像素最高为1680万的CMOS图像传感器正在开发中。 需要指出，电荷耦合器件（CCD）并不仅限图像传感器这一种应用，它在模拟信号处理方面也有很好的应用价值。;电荷耦合器（CCD）分类;电荷耦合器（CCD）应用;电荷耦合器（CCD）应用; 目前，摄像检测主要应用摄像技