模拟电子技术知识(第三版)第1章　半导体元件及其特性.ppt

　　2. 输出特性曲线　　输出特性曲线是指当三极管基极电流IB为常数时，集电极电流IC与集电极、发射极间电压UCE之间的关系，即　　在图1.2.6中，先调节UBB为一定值，例如IB=40 μA，然后调节UCC使UCE由零开始逐渐增大，就可作出IB=40 μA时的输出特性。同样做法，把IB调到0 μA, 20 μA, 60 μA ……，就可以得一组输出特性曲线。如图1.2.9所示。 图 1.2.9　三极管输出特性曲线 　　1) 截止区　　在IB=0 曲线以下的区域称为截止区，这时IC=ICEO≈0。集电极到发射极只有很微小的电流，称其为穿透电流。三极管集电极与发射极之间接近开路，类似开关断开状态，无放大作用，呈高阻状态。此时UBE低于死区电压或UCE≤0 V，三极管可靠截止，发射结和集电结都处于反向偏置。 　　2) 放大区　　在IB=0的特性曲线上方，各条输出特性曲线近似平行于横轴的曲线簇部分。UCE在1 V以上，IC不随着UCE变化，呈现恒流特性。在放大区，IC的大小随IB变化，IC=βIB。此时发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置，三极管处于放大状态。 　　3) 饱和区　　输出特性曲线近似直线上升部分称饱和区，UCE≤1 V，三极管饱和时UCE值称为饱和压降，用 UCES来表示。因UCES值很小，三极管的c、e两极之间接近短路，此时发射结和集电结都处于正偏。 1.2.3　三极管的主要参数　　1. 电流放大系数β　　动态(交流)电流放大系数β：当集电极电压UCE为定值时，集电极电流变化量ΔIC与基极电流变化量ΔIB之比，即 　　静态(直流)电流放大系数　 ：三极管为共发射极接法，在集电极-发射极电压UCE一定的条件下，由基极直流电流IB所引起的集电极直流电流与基极电流之比，称为共发射极静态(直流)电流放大系数，记作 　。 　　2. 极间反向截止电流　　1) 发射极开路，集电极－基极反向截止电流ICBO　　ICBO可以通过图1.2.10所示电路进行测量。 图 1.2.10　ICBO测试电路 　　2) 基极开路，集电极－发射极反向截止电流ICEO　　ICEO是当三极管基极开路而集电结反偏和发射结正偏时的集电极电流。测试电路如图1.2.11所示。 图 1.2.11　ICEO测试电路 　　3. 极限参数　　集电极最大允许电流ICM：当IC超过一定数值时β下降，β下降到正常值的2/3时所对应的IC值为ICM，当ICICM时，可导致三极管损坏。　　反向击穿电压U(BR)CEO：基极开路时，集电极、发射极之间最大允许电压为反向击穿电压U(BR)CEO，当UCEU(BR)CEO时，三极管的IC、IE剧增，使三极管击穿。为可靠工作，使用中取 　　集电极最大耗散功率PCM：集电极电流流过集电极时，产生的功耗使结温升高，结温太高时会使三极管烧毁，因此规定PC=ICUCE≤PCM。根据给定的PCM值可以作出一条PCM曲线如图1.2.12所示，由PCM、ICM和U(BR)CEO包围的区域为三极管安全工作区。 图 1.2.12　三极管安全工作区 　　例1.2.1　在图1.2.6所示电路中，若选用3DG6D型号的三极管，　　(1) 电源电压UCC最大不得超过多少伏？　　(2) 根据IC≤ICM的要求，Rc电阻最小不得小于多少千欧姆？　　解　 查表，3DG6D参数是： 　　(1) 　　　　(2) 其中，UCE最低一般为0.5 V，故可略。由IC＜ICM，所以 　　　　　　　　　　故 1.2.4　复合三极管　　复合三极管是把两个三极管的管脚适当地连接起来使之等效为一个三极管，典型结构如图1.2.13所示。 图 1.2.13　复合三极管 　　以图1.2.13(a)为例分析。即 　　说明复合管的电流放大系数β近似等于两个管子电流放大系数的乘积。同时有表明复合管具有穿透电流大的缺点。 　　　　　1.3　场 效 应 管　　场效应管是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体三极管。它具有输入电阻高(最高可达1015Ω)、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电省等优点，因此得到广泛应用。 1.3.1　结型场效应管　　1. 结构及符号　　结型场效应管也是具有PN结的半导体器件，图1.3.1(a)绘出了N沟道结型场效应管的结构(平面)示意图。它是一块N型半导体材料作衬底，在其两侧作出两个杂质浓度很高的P+型区，形成两个PN结。从两边的P型区引出两个电极并联在一起，称为栅极(G)；在N型衬底材料的两端各引出一个电极，分别称为漏极(D)和源极(S)。两个PN结中间的N型区域，称为导电沟道，它是漏、源极之间电子流通的途径。这种结构的管子被称为N型沟道结型场效应管，它的代表符号如图1.3.1(b