第7章 分立元件放大电路7.pptVIP

2. N型半导体和P型半导体 杂质半导体的示意表示法 3. PN结的形成 4、 PN结的导电特性 PN 结加反向电压（反向偏置） 7.1.2 半导体二极管 1、基本结构和类型 2、 伏安特性 3、主要参数 二极管电路分析举例 5.稳压二极管 3. 主要参数 7.1.3 晶体三极管 1. 基本结构与类型 2.电流放大原理 2. 各电极电流关系及电流放大作用 7.1.4 绝缘栅场效应管 绝缘栅场效应管 1.绝缘栅场效应管的结构 耗尽型 4. 场效应管的主要参数 场效应管与晶体管的比较 放大的概念: 7.2.1 基本放大电路的组成及工作原理 7.2.1 基本放大电路的组成及工作原理 7.2.1 基本放大电路的组成及工作原理 7.2.2 放大电路的分析 共射放大电路的电压放大作用 共射放大电路的电压放大作用 一、放大电路的静态分析 1. 估算法： 2）根据直流通道估算UCE、IC 2、图解法： 2、图解法： 二、放大电路的动态分析 3、 微变等效电路法 7.2.3 非线性失真： 7.3 放大电路中静态工作点的稳定 7.3.1 温度变化对静态工作点的影响 7.3.2 分压式偏置电路 1、稳定Q点的原理 参数的选择 Q点稳定的过程 2. 静态工作点的计算 3. 动态分析 7.4 射极输出器 共集放大电路（射极输出器）的特点： 例1: 【解】 （2）微变等效电路如图 7.5 多级放大电路 7.5.1 阻容耦合放大电路 7.5.2 直接耦合放大电路 直接耦合放大电路的零点漂移 1、静态分析：静态工作点（IB，IC，UCE） 图解法： 估算法： 2、动态分析：微变等效电路法 ib ic ic B C E ib ?ib rce C rbe B E 晶体三极管 微变等效电路 ube + - uce + - ube + - uce + - rce很大，一般忽略。 rbe RB RC RL + - - + rbe RC RL RE + + - - 练习：7-13、7-21 作业： 合理设置静态工作点是保证放大电路正常 工作的先决条件。但是放大电路的静态工作 点常因外界条件的变化而发生变动。 前述的固定偏置放大电路，简单、容易调 整，但在温度变化、三极管老化、电源电压 波动等外部因素的影响下，将引起静态工作 点的变动，严重时将使放大电路不能正常工 作，其中影响最大的是温度的变化。 后一页 前一页 返回 在固定偏置放大电路中 上式表明，当VCC和 RB一定时， IC与 UBE、 ? 以及 ICEO 有关，而这三个参数随温度而变化。 当温度升高时， UBE?、? ? 、 ICBO ?。 温度升高时， IC将增加，使Q点沿负载线上移。 后一页 前一页 返回 iC uCE Q 温度升高时，输出特性曲线上移 结论： 当温度升高时， IC将增加，使Q点沿负载线上移，容易使T进入饱和区造成饱和失真，甚至引起过热烧坏三极管。 Q′ 固定偏置电路的Q点是 不稳定的，为此需要改进偏置电路。当温度升高使 IC 增加时，能够自动减少IB，从而抑制Q点的变化，保持Q点基本稳定。 后一页 前一页 返回 基极电位基本恒定， 不随温度变化。 后一页 前一页 RB1 RC C1 C2 RB2 CE RE RL I1 I2 IB VB + + + +UCC ui uo + + – – 返回 集电极电流基本恒 定，不随温度变化。 7.3.2 分压式偏置电路 1. 稳定Q点的原理 后一页 前一页 RB1 RC C1 C2 RB2 CE RE RL I1 I2 IB VB + + + +UCC ui uo + + – – 返回 从Q点稳定的角度来看似乎I2、VB越大越好。如果I2 越大，RB1、RB2必须取得较小，将增加损耗，降低输入电阻。而VB过高必使VE也增高，在UCC一定时，势必使UCE减小，从而减小放大电路输出电压的动态范围。 在估算时一般选取： I2=（5 ~10）IB，VB=（5 ~10）UBE， RB1、RB2的阻值一般为几十千欧。 后一页 前一页 RB1 RC C1 C2 RB2 CE RE RL I1 I2 IB VB + + + +UCC ui uo + + – – 返回 T UBE IB IC VE IC VB固定 RE:温度补偿电阻 对直流：RE越大稳Q 效果越好； 对交流： RE越大交 流损失越大,为避免交 流损失加旁路电容CE。 后一页 前一页 I1 I2 IB VB + + + RB1 RC C1 C2 RB2 CE RE RL +UCC uo + – ui + – 返回 估算法: 后一页 前一页 RB1 RC C1 C2 RB2 CE