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硅外延工艺中硅源的本征电阻率 傅 雄 强 (天津IT;半导体技 术研究所 30005 1) 硅源的纯度通常是用它在硅衬底 卜生长的不掺杂硅外延层的本征电阻率 (或施主 杂质浓INL,)来表示丫高纯四氯化硅是硅外延工艺中使用的主要硅源之一 当高纯四 氯化硅的本征电阻率350欧姆 ，厘米时， 即可作为硅源用干制备高、中、低阻各种规 格的N?vj式P型硅外处片 那么此硅源的木征电阻率在硅外延片的连续生产过程中会 不会发生变化?怎样变化?这是本文想要解决的问题 W.H.shephed在文献[11中指出:在硅外延工艺中使用液相掺杂方法时，其气相 中的掺余剂浓度从理论上讲可由下式决定 : Cx=C.,K (1一X)一‘’— }川 式中C-表示掺杂液中掺杂刘的原始浓度，摩尔分数;C、一表示掺杂液中四氯化硅减 少X量时， 气相中的掺杂剂浓度，摩尔分数;x一表示四氯化硅的减少量，分数;K 一在给定温度条件下掺杂剂和四氧化硅的相对挥发度 本文在推导下列公式时，采纳了W.H.shephed在推导配制掺杂液公式时所作的两 点假 设..;日掺杂液的气相组成服从拉乌尔定律 ;(2)在被还原的硅中杂质 与硅的原子 数之 比等 厂气相中掺 rv剂化合物和硅化合物的摩尔数之 比 假设化与高纯IN氯化硅液相成平衡的气相中分别含有。，克杂质化合物 和m2克四氯 化硅 那么根据W.H.shephedfY--j假ix(2)可写出以F公式: 性_=一M匕一- — — [2l N，. m。 M 2 式中N i表示不掺杂硅外延层 中的杂质原子浓度、)l子数/厘米 卜N、;一表示硅的原子 密度 其值为4.99X10原子/厘米 卜A,/M ;一表示气相中杂质化合物的摩尔数;m. /MZ一表示气相中四氯化硅的摩尔数;M，一表示杂质化合物的分子量屯M二一表示四氯 化硅的分子量 假设高纯四氯化硅中的杂质汉为只氯化磷 (施主摔杂剂) ，那么将三氯化磷的分 子量，M,=1:37.44和19氯化硅的分子量M=169.89代人式 别「得到: m， N 、=6,1682)10x — ) — [31 口z r ! i l 38 e s e s e s w e l . J