光电检测3-1(2011)(探测器性能参数.光电子器件).ppt

7）探测器的响应时间 常用光电发射材料 * 第二章 光辐射探测器 光电探测器的分类: 基于光电效应原理的光子探测器 ⑴ 光电子发射探测器 ⑵ 光伏探测器、 ⑶ 光电导探测器 特点：探测灵敏度高（探测能力，响应波长范围，响应速度） 对波长探测选择敏感； 多数工作在低温环境下 光电探测器的分类 基于光热－热电效应原理的探测器 ⑴ 热电偶探测器 ⑵ 热敏电阻探测器 ⑶ 热释电探测器 特点：探测灵敏度较低 （探测能力，响应波长范围，响应速度） 对波长探测选择不敏感； 多数工作在室温环境下 一)探测器的灵敏度特性 ⑴ 探测器的量子效率 2.1 探测器的性能参数 ⑵响应度 在入射辐射垂直投射到探测器响应平面时 Rbb( Tb,f,Δf ) 黑体辐射 R( λ,f,Δf ) 单色光辐射 3）噪声等效功率 4）探测度D和归一化探测度D* A：探测器面积， △ f：放大器带宽 5)探测器的光谱响应 探测器的光谱响应是指探测器灵敏度与波长间的关系， 如：R(f,λ)∽λ;D*(λ,f )∽λ等 6）探测器的频率响应 fc f R(f) 0.707 R(0) RV(λ) λ/μm R(0)：无调制时的直流相应 当t=τ 当t=τ 二） 噪声的统计描述和探测器噪声 1）噪声的概念和分类 噪声是有用信号以外的无用信号，噪声是一种随机信号，不可预知它的精确大小，但有其统计规律，只能用统计的理论和方法处理。 系统外部噪声 由系统外部产生 系统内部噪声 由系统内部元件、电路产生 按噪声的波形特征及变化规律分脉冲噪声和连续性噪声，周期性噪声和非周期性噪声，平稳性噪声和非 平稳性噪声； 按噪声的幅度和频谱分布状况分有高斯噪声和白噪声。 二）探测器的噪声 （1）散粒噪声（散弹噪声） 半导体中的产生－复合噪声 噪声带宽： f R(f) R(0) Δf 0.707R (0) 探测器或电路的电流的微粒流随机起伏引起的噪声 （2）热噪声（过剩噪声） （3）温度噪声（热探测器） （4）闪烁噪声（电流噪声、低频噪声,1/f噪声） α≈2， β ≈0.8~1.5 由于导体中电子的无规则热运动，产生的电流随机起伏引起的噪声 由于环境或器件温度的随机起伏引起的噪声 与光辐射的调制频率有关，与f成反比 热导 3）高斯噪声和白噪声 高斯噪声 噪声强度具有高斯分布的噪声 白噪声 P(x) x σ σ m 噪声功率谱按频率均匀分布在整个频率区间的噪声，其功率谱记为： ω 1）几何参数 视场角和立体角(致冷探测器和具有浸没透镜探测器） 定义权重立体角（θ是入射角）：响应元的中心对光阑的张角的余弦 标称面积 An:厂商提供面积 选用面积 As:转换能量的实际面积 有效面积 Ae:整体响应灵敏度与其最大值之比 三）探测器的几何参数和使用参数 2）探测器的电参数 阻抗 偏置工作电压：必须加偏压；无偏压（按工作原理不同） 3） 使用条件 工作温度：为提高灵敏度，减低噪声， 室温；低温 不同的探测器阻抗不同，要和放大器匹配 光电子发射探测器 真空光电二极管 光电倍增管 电子倍增器和微通道板 2.2 光电子发射探测器 1）金属光电子发射 在某热平衡温度下，金属中处在费米能级E=EF上的电子，吸收光子能量hν后， 除去散射能量损失ΔE, 还克服表面势垒EA 的能量，逸出金属表面的现象 光电子所具有的最大动能 ， 光电子发射的辐射极限频率 如果 EF = 0, 2）半导体的光电子发射 本征半导体的能带结构 W0=hν0=Eg+EA E0 Eg - EF 价带 导带 W0 EA E 0 EV EC 禁带 杂质半导体的能带结构 N半导体 Wn0 = EA+ΔEn P半导体 Wp0 = EA+Eg-ΔEp - EFp W n0 Eg E0 价带 导带 Wp0 EA E 0 EV EC 禁带 - EFn ΔEp ΔEn 受主能级 施主能级 杂质半导体的能带结构 - EFp W n0 Eg E0 价带 导带 Wp0 EA E 0 EV EC 禁带 - EFn ΔEp ΔEn EA 材料的亲和势 负亲合势复合半导体 Cs GaAs Ev Ec EF E0 Cs2O Ec Ef Ev EF Ev Ec E0 Ec Ev GaAs Cs Cs2O 体内导带底 -EA 两种材料未接触前的能带结构 两种材料接触后的能带结构 形成了负电子亲合势(- EA) 价带 价带 光电阴极的性能参数 （1）光照灵敏度 阴极输出光电流与输入光通量之比 光谱灵