掺杂纳米晶gesio2多层薄膜的结构及光学性能研究-study on the structure and optical properties of doped nanocrystalline ge sio _ 2 multilayer films.docxVIP
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- 2018-05-28 发布于上海
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掺杂纳米晶gesio2多层薄膜的结构及光学性能研究-study on the structure and optical properties of doped nanocrystalline ge sio _ 2 multilayer films
承诺书本人声明所呈交的硕士学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。除了文中特别加以标注和致谢的地方外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为获得南京航空航天大学或其他教育机构的学位或证书而使用过的材料。本人授权南京航空航天大学可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文。(保密的学位论文在解密后适用本承诺书)作者签名:日期:摘要硅基纳米材料因具有较大光吸收系数、高光电导率、大载流子迁移率和光学带隙可裁剪等优点被广泛应用于光伏等领域。本文采用磁控溅射方法,以Ge/SiO2多层薄膜结构为研究对象,采用XRD、Raman、FESEM、台阶仪、UV-Vis和划痕实验等技术,分析和表征薄膜的组织、结构和性能,探讨Ge层厚度、周期数和退火工艺对Ge/SiO2多层膜的微结构、光学性能和力学性能的影响规律,研究B掺杂Ge/SiO2多层膜的结构和性能。周期数和Ge层厚度对Ge/SiO2多层薄膜的结构和光学性能有较大影响。溅射态Ge/SiO2多层薄膜为微晶结构,由颗粒状结构连接而成,且周期性良好。随着Ge层厚度的增大,样品的表面粗糙度呈现先减小后增大趋势,Ge层厚度为8.5nm时最小;随着薄膜周期数的增大,样品的表面粗糙度增大,且增大幅度减小。同时,周期数和Ge层厚度的增大均使薄膜的光吸收边发生红移。退火
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