Emission和OBIRCH的原理.pptVIP

一. Emission和OBIRCH的原理 1. Emission部分： ①基本原理 A.半导体发光原理简述： 通过一定形式的激发在半导体材料中产生非平衡态，从而会有电子从高能态到低能态的跃迁过程，这一过程可能是辐射的也可能是非辐射的，辐射过程就导致了发光。PEM采用的激发就是电偏置，通过对半导体器件加一定电压，形成电致发光。 发光显微镜利用的是PEM（Photon Emission Microscopy，显微发光技术），可以探测非常微弱的发光。 辐射性的跃迁过程： 带间的直接或间接跃迁过程 激子复合 带与杂质能级间跃迁 带内跃迁 非辐射性的跃迁过程： 俄歇效应 表面与界面复合 通过缺陷的复合 多声子发射 B.Emission原理： Emission探测到的光源分为两类 ?场加速载流子散射产生的发光（F－PE） ①空间电荷区：反偏结，硅中漏电流，饱和MOS管，ESD保护击穿，三极管。如 对反偏PN结的发光机理是：隧穿产生的电子和价带中的空穴复合，或者是雪崩产生的电子空穴对的复合，发射的光子能量可以大于禁带能量。当结已经击穿或者结上存在缺陷发生漏电时，这些光才能被探测到。 ②高的局部电流密度：栅氧化层缺陷和漏电 ③F-N电流：栅氧化层漏电 ?电子空穴辐射复合产生发光（R－PE） 正偏结，三极管，閂锁 在一定的电压工作条件下，存在着漏电、击穿、热载流子效应的器件中，会有光子从失效点发射出来，这些光子通过显微镜收集、图象增强器增强、C-CCD相机转换和图象处理器处理，成为一张发光像，将这一发光像和器件表面的反射像叠加，就能对缺陷进行定位。 + 叠加像 反射像 发光像 ＝ PHEMOS-1000采用红外光作为产生产生反射像的光源，硅对红外光是透明的，因此红外光可以从器件背面入射出射，避免了器件正面多层结构的吸收和反射，因而可以从器件背面进行失效点的定位 Emission观察分为正面Emission和背面Emission 随着半导体技术的不断发展，器件特征尺寸越来越小，布线层数越来越多，这可能会导致正面发光会被更多的反射和吸收，这就使得背面Emission越来越重要。 可检测的发光失效： 结漏电 结雪崩 接触毛刺 热电子效应 氧化层漏电 多晶硅晶须 衬底损伤 閂锁 ②对失效的探测 探测不到的发光： 埋结 金属层下的漏电 不发光的漏电失效： 欧姆接触 金属互连短路 表面反型区 亚阈值导通 硅导电通路 ③成像过程 A.明确器件失效时的外加电压条件以及失效表现 B.确定了器件的结构后，选择合适的Emission模式(背面或正面） 获得反射像 发光像 叠加像 合适的电压和曝光时间 superimpose 分析过程 2.OBIRCH： 激光束在器件表面进行扫描时，部分能量会转化为热量被金属互连线吸收 当互连线中存在缺陷时，缺陷附近的热量不能迅速通过金属线传导散开，这就导致缺陷处的温度升高，进一步引起导线电阻值的变化 对系统施加恒定电压V或电流I，就会有相应的电流变化ΔI或电压变化ΔV，将这一变化量与激光扫到的位置所成像像中像素亮度对应，从而就定位了缺陷。 ①基本原理 ②可检测到的缺陷 金属互连线的短路，空洞，硅球瘤，通孔下的空洞，通孔底部高阻区和TiSi线中的高阻区， ③成像过程 DUT的反射像 OBIRCH像 叠加像 偏压 Superimpose 先明确器件失效时的外加电压情况以及失效表现。 A.无光发射并不代表器件没有失效。如：可能是非发射型的漏电模式。这时可能就需要尝试其他失效定位技术，比如液晶技术等。 B.光发射区不一定都是缺陷区。比如閂锁效应等会导致整个芯片发光。 3.注意 C.光发射技术本身不能确定失效的根本原因，只是用于隔离出失效区。 * *