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北京大学半导体器件类ppt-第一章 半导体器件
例:UCE=6V时:IB=40?A, IC=1.5mA; IB=60 ?A, IC=2.3mA。 在以后的计算中,一般作近似处理:?= 2.集-基极反向截止电流ICBO ?A ICBO ICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流,受温度的变化影响。 3.集-射极反向截止电流ICEO ?A ICEO B E C N N P ICBO ICEO= ? IBE+ICBO IBE ?IBE ICBO进入N区,形成IBE。 根据放大关系,由于IBE的存在,必有电流? IBE。 集电结反偏有ICBO 4.集电极最大电流ICM 集电极电流IC上升会导致三极管的?值的下降,当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。 所以集电极电流应为:IC= ? IB+ICEO 而ICEO受温度影响很大,当温度上升时,ICEO增加很快,所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。 5.集-射极反向击穿电压 当集---射极之间的电压UCE超过一定的数值时,三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25?C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。 6.集电极最大允许功耗PCM 集电极电流IC流过三极管,所发出的焦耳热为: PC=ICUCE 必定导致结温上升,所以PC有限制。 PC?PCM IC UCE ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作区 §1.5 场效应晶体管 场效应管与双极型晶体管不同,它是多子导电,输入阻抗高,温度稳定性好。 结型场效应管JFET 绝缘栅型场效应管MOS 场效应管有两种: N 基底 :N型半导体 P P 两边是P区 G(栅极) S源极 D漏极 (1)结构 1.5.1结型场效应管: 导电沟道 N P P G(栅极) S源极 D漏极 N沟道结型场效应管 D G S D G S P N N G(栅极) S源极 D漏极 P沟道结型场效应管 D G S D G S 结型场效应管 P G S D UDS UGS N N (2)工作原理(以P沟道为例) N N PN结反偏,UGS越大则耗尽区越宽,导电沟道越窄。 UDS较小时 UDS较小时 P G S D UDS UGS N N N N 但当UGS较小时,耗尽区宽度有限,存在导电沟道。DS间相当于线性电阻。 UGS越大耗尽区越宽,沟道越窄,电阻越大。 P G S D UDS UGS N N UDS较小时 UGS达到一定值时(夹断电压VP),耗尽区碰到一起,DS间被夹断,漏极电流是ID=0。 P G S D UDS UGS UGSVp且UDS较大时UGDVP时耗尽区的形状 N N 越靠近漏端,PN结反压越大 P G S D UDS UGS UGSVp且UDS较大时UGDVP时耗尽区的形状 N N 沟道中仍是电阻特性,但是是非线性电阻。 G S D UDS UGS UGSVpUGD=VP时 N N 漏端的沟道被夹断,称为予夹断。 UDS增大则被夹断区向下延伸。 G S D UDS UGS UGSVpUGD=VP时 N N 此时,电流ID由未被夹断区域中的载流子形成,基本不随UDS的增加而增加,呈恒流特性。 (3)特性曲线 UGS 0 ID IDSS VP 饱和漏极电流 夹断电压 转移特性曲线 一定UDS下的ID-UGS曲线 予夹断曲线 ID U DS 2V UGS=0V 1V 3V 4V 5V 可变电阻区 夹断区 恒流区 输出特性曲线 0 2.1.3 半导体二极管 (1)、基本结构 PN结加上管壳和引线,就成为半导体二极管。 引线 外壳线 触丝线 基片 点接触型 PN结 面接触型 P N (2)、伏安特性 U I 死区电压 硅管0.6V,锗管0.2V。 导通压降: 硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 反向击穿电压U(BR) (3)、主要参数 (1)最大整流电流 IOM 二极管长期使用时,允许流过二极管的最大正向平均电流。 (2)反向击穿电压VBR 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增,二极管的单向导电性被破坏,甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压VWRM一般是VBR的一半。 (3)反向电流 IR 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大,说明管子的单向导电性差,因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响,温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小,锗管的反向电流要大几十到几百倍。 以上均是二极管的直流参数,二极管的应用是主要利用它的单向导电性包括整流、限幅、保护等。下面介绍两个交流参数。 (4)微变电阻 rD iD vD ID VD Q ?iD ?vD rD是二极管特性曲线工作点Q附近电压的变化与电流的变化之比: 显然,rD是对Q附近的微小变化量的电阻。 (5)二极管的极间电容 二极管的两极之间有电容,此电容由两部分组成:势垒电容CB和扩散
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