相变存储器中驱动二极管之间串扰电流分析与减小方法.pptVIP

电子器件 李宜瑾1, 2,凌 云2*,宋志棠2,龚岳峰2,罗胜钦1,贾晓玲1 1.同济大学电子与信息工程学院; 2.中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 信息功能材料国家重点实验室,纳米技术研究室 aaaaa 文章结构 题目 摘要 引言 制备工艺流程简介 采样保持功能的开关电容积分器 串扰电流产生的原因 减小串扰电流的方法 结束语 参考文献 摘要 由于二极管在单元尺寸上的优势,被认为是高密度相 变存储器中驱动管的不二之选。如果制备二极管的工艺 参数不恰当,则大的漏电流会影响PCRAM存储数据的准 确性和长久的保持力。首先简要介绍了具有自主知识产 权的相变存储器中驱动二极管阵列的制备方法,然后从载 流子分布以及半导体器件角度,分析了驱动二极管之间串 扰电流的产生原因,最后,依据工艺流程介绍了一种简单的 方法来减小驱动二极管之间的串扰电流。依据SMIC的工 艺进行TCAD仿真,结果表明此种方法能够在增大驱动电 流的同时大大减小串扰电流。 关键词：相变存储器;驱动二极管;串扰电流;TCAD 引言 背景：拥有诸多优点的相变存储器（PCARM）被 认为最有可能成为下一代主流存储器[3-4]。要实现其 高密度海量存储,驱动管成为关键因素之一。 比较目前的三种主流驱动管：MOSFET、双极三 极管(BJT)和二极管(Diode)。说明二极管是高密度海 量存储PCRAM中驱动管的不二之选。 问