反向击穿电压VBR理想二极管.ppt

七、二极管的主要参数 1. 最大整流电流 IF 二极管长期使用时,允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 反向工作峰值电压UBR 是保证二极管不被击穿而给出的反向电压，一般是二极管反向击穿电压UBR的一半或三分之二。二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。 3. 反向峰值电流IRM 指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，IRM受温度的影响，温度越高IRM越大。硅管的反向电流较小( nA级)，锗管的反向电流较大(?A级)，为硅管的几十到几百倍。 4. 极间电容Cd Cd＝CB + CD 5. 反向恢复时间TRR 三、迭代法 前提条件：已知二极管的V-I曲线的数学模型。 例2 已知二极管的V-I曲线方程为： + uD - UDD iD R 解：由电路得二极管两端电压电流的关系为： uD＝UDD－iD·R 联立两个方程求解即可。 求图示电路uD、iD 的大小。 恒压源模型 测量值： 9.32 mA 相对误差： 理想二极管模型 相对误差： I R + E 10V - 1kΩ 0.7V I R 1kΩ + E 10V - I R 1kΩ + E 10V - 例3 求图示二极管上的电流 I 。 二极管构成的限幅电路如图所示，R＝1kΩ，UREF=2V，输入信号为ui。 ui为4V的直流信号，分别采用理想二极管模型、恒压源模型计算电流I 和输出电压 uo 解：(1)采用理想模型分析。 (2)采用恒压源模型模型分析。 例4 UREF I + ui - R + uo - uo = UREF=2V uo=UD+UREF=0.7+2=2.7V 如果ui为幅度±4V的交流三角波，波形如图(b)所示。分别采用理想二极管模型和恒压源模型分析电路并画出相应的输出电压波形。 解：(1)采用理想二极管模型分析。波形如图所示。 0 -4V 4V ui t 2V 2V uo t 例5 UREF I + ui - R + uo - 0 2.7V uo t 0 -4V 4V ui t 2.7V (2)采用恒压源模型分析，波形如图所示。 UREF I + ui - R + uo - 电路如图，求：UAB V阳 =－6 V V阴 =－12 V V阳V阴 二极管导通 理想二极管模型：二极管可看作短路，UAB =－6V 恒压源模型：UAB=－6.3Ｖ或UAB=－6.7V 在这里，二极管起钳位作用。 解： 取 B 点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。 D 6V 12V 3k? B A UAB + – 例6 * 第三章 二极管及其基本电路 重点： 1.理解PN结的单向导电性。 2.了解二极管、稳压管的基本构造、工作原理和特性曲线，理解主要参数的意义； 3.会分析含有二极管的电路。 §3.1 半导体的基本知识 一. 导体、半导体和绝缘体 1.导体:容易导电的物质，金属一般都是导体。 2.绝缘体:不导电的物质,如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 3.半导体 (1)导电特性处于导体和绝缘体之间，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 (2)当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。称热敏特性和光敏特性。 (3)往纯净的半导体中掺入某些杂质(其它化学元素)，会使它的导电能力明显改变。 半导体为什么有此性质呢？ 硅原子(14) 锗原子(32) 硅和锗最外层轨道上的四个电子称为价电子。 二. 本征半导体 ——完全纯净的、具有晶体结构的半导体。 制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”。 典型的半导体是硅Si和锗Ge，它们都是4价元素。 1.形成共价键结构，导电能力较弱,接近绝缘体。 2.光照或受热激发价电子成为自由电子，导电能力增强。这一现象称为本征激发或热激发。 三. 本征半导体的共价键结构 可见：本征激发同时产生电子空穴对。 +4 +4 +4 +4 硅原子 自由电子 空穴 自由电子带负电，空穴带正电，都是可以移动的粒子。 光照或受热激发使半导体导电能力增强的现象称为本征激发或热激发。 可见：本征激发同时产生电子空穴对。 自由电子——带负电的粒子 空穴——带正电的粒子 自由电子、空穴统称为载流子。 四. 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。 为何呢？ 1、N 型半导体 在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷(或锑)。 +4 +4 +5 +4 多余电子 自由电子 磷原子 硅原子 + + + + + + + + + + + + + + + + +