热氧化SiO2质量好掩蔽能力强.pptVIP

第二章 氧 化 主 讲：毛 维 mwxidian@126.com 西安电子科技大学微电子学院 第二章 氧化 SiO2作用： a.杂质扩散掩蔽膜和离子注入屏蔽膜 b.器件表面保护或钝化膜 c. MOS电容的介质材料 d. MOSFET的绝缘栅材料 e. 电路隔离介质或绝缘介质 SiO2制备：热氧化；热分解淀积；CVD；阳极氧 化；蒸发法(溅射法)。 热氧化：SiO2质量好，掩蔽能力强。 氧化层应用 氧化层应用 氧化层应用 氧化层应用 2.1 SiO2的结构与性质 2.1 SiO2的结构与性质 2.1.1. 结构（结晶形和无定形） ①结晶形结构：Si – O 四面体在空间排列整齐 如石英晶体（水晶），密度＝ 2.65g/cm3 ②无定形（非晶形）结构： 如SiO2薄膜，密度＝2.15-2.25g/cm3 无定形结构特点：（由无规则排列的Si-O四面体组成的三维网络结构),即短程有序，长程无序； Si-O四面体:在顶角处通过氧(O)相互联结,构成三 维网络结构。 2.1 SiO2的结构与性质 Si-O4四面体中氧原子： 桥键氧——为两个Si原子共用，是多数； 非桥键氧——只与一个Si原子联结，是少数； 无定形SiO2网络强度：与桥键氧数目成正