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电力电子技术试题20套及答案 考试试卷 1 卷 一填空题本题共8小题每空1分共20分 1电子技术包括______________和电力电子技术两大分支通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者 2为减少自身损耗提高效率电力电子器件一般都工作在_________状态当器件的工作频率较高时_________损耗会成为主要的损耗 3在PWM控制电路中载波频率与调制信号频率之比称为_____________当它为常数时的调制方式称为_________调制在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为____________调制 4面积等效原理指的是_________相等而_______不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时其效果基本相同 5在GTRGTOIGBT与MOSFET中开关速度最快的是_________单管输出功率最大的是_____________应用最为广泛的是___________ 6设三相电源的相电压为U2三相半波可控整流电路接电阻负载时晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值即 其承受的最大正向电压为 7逆变电路的负载如果接到电源则称为 逆变如果接到负载则称为 逆变 8如下图指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路 用V1VD1V2VD2表示 1 0t1时间段内电流的通路为________ 2 t1t2时间段内电流的通路为_______ 3 t2t3时间段内电流的通路为_______ 4 t3t4时间段内电流的通路为_______ 5 t4t5时间段内电流的通路为_______二选择题本题共10小题前4题每题2分其余每题1分共14分 1单相桥式PWM逆变电路如下图单极性调制工作时在电压的正半周是 AV1与V4导通V2与V3关断BV1常通V2常断V3与V4交替通断 CV1与V4关断V2与V3导通DV1常断V2常通V3与V4交替通断2对于单相交流调压电路下面说法错误的是 A晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时晶闸管的导通角小于180度B晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时必须加宽脉冲或脉冲列触发电路才能正常工作 C晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时晶闸管的导通角为180度D晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时晶闸管的导通角不为180度 3在三相三线交流调压电路中输出电压的波形如下图所示在t1t2时间段内有 晶闸管导通 A1个 B2个 C3个 D4个 4对于单相交交变频电路如下图在t1t2时间段内P组晶闸管变流装置与N组晶闸管变流装置的工作状态是 AP组阻断N组整流 BP组阻断N组逆变 CN组阻断P组整流 DN组阻断P组逆变 5电阻性负载三相半波可控整流电路中控制角的范围是 A30°～150 B0°～120° C15°～125° D0°～150° 6桓流驱动电路中加速电容C的作用是 A加快功率晶体管的开通 B延缓功率晶体管的关断 C加深功率晶体管的饱和深度 D保护器件 7直流斩波电路是一种 变换电路 AACAC BDCACCDCDC DACDC 8为限制功率晶体管的饱和深度减少存储时间桓流驱动电路经常采用 Adudt抑制电路 B抗饱和电路Cdidt抑制电路 D吸收电路 9已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流 A减小至维持电流以下 B减小至擎住电流以下 C减小至门极触发电流以下 D减小至5A以下 10IGBT是一个复合型的器件它是 AGTR驱动的MOSFET BMOSFET驱动的GTR CMOSFET驱动的晶闸管 DMOSFET驱动的GTO三简答题共3小题22分 1简述晶闸管导通的条件与关断条件7分 2电压型逆变电路的主要特点是什么8分3简述实现有源逆变的基本条件并指出至少两种引起有源逆变失败的原因7分 四作图题共 2 小题每题12分共24分 1三相全控桥阻感负载主回路整流变压器的接法是Dy5采用NPN管的锯齿波触发器要求在整流与逆变状态运行同步变压器二侧电压经R-C滤波器滤波后滞后角为30°接到触发电路同步变压器的的接法为YY-104接法如下图所示选择晶闸管的同步电压要给出分析过程分析依据 晶 闸 管 VT1 VT