li离子嵌入和氧缺陷对v- 2c2-o- 2c5-电子结构影响.pdfVIP

摘 要 V205是一种极其重要的无机材料，在化工和电子工业领域有着广泛的应用。 尤其是在电存储和毫致变色器件中的应用深受研究者昀关注。醺前，影响其未来 发展的难题主要有：Li嵌入对V205电子结构的影响及其嵌入／脱出的机理缺少理 论依据，此强，本征氧空位缺陷对材料特性的影响机制也滏不臻确。本论文通过 理论计算和实验研究，较深入地考察了V205体材料的电子结构及其分别受“离子 嵌入和氧空位的影响。理论上，我们分析了￡i离子鲍嵌入机理以及氧空饿对体材 料的电子结构所产生的影响。实验上，我们分别利用物理汽相沉积和射频磁控溅 射技术制备了v205薄膜，采用包括电子显微镜、X射线光电子能谱(xPS)、紫 外光电子能谱(uPS)等技术，表征薄膜样品的各项性质。并将实验结果与理论 计算相比较，得到了一些较为有意义的结论： 在Li离子的嵌入机理研究方面，通过对“离子的不同嵌入位置的理论模拟， 发现两种模型下的班o．5V205总能相差不是很大，表囊在常温下“离子嵌入后可沿 着b轴方向在一平台上进行扩散。当结构变为LiV205时，发现“位于层间两个桥 氧的闻隙位时，体系最为稳定。僵不管嵌入多少量的Li离子，体系的电子跃迁方 式都没有改变，仍为间接带隙。但是体系的费米能级随着“离子浓度的增加而上 舞，并进入导带中，这极有可能是实验上发现H离子嵌入后导致吸收边发生蓝移 的主要原因。 在氧空位的研究方面，通过xPS测量出具有不同空位浓度的薄膜样l链，发现 随着空位浓度的增加，V的氧化态逐渐降低；UPS表明体系的功函数随着氧空位 浓度的增加两降低；紫外可见光吸收谱发现随着氧空位浓度的增加，吸收边向高 能方向移动。理论计算同样发现V的价态随着O的缺失而降低，功函数也随之减 小。此外，氧空位的形成将转移一部分的电子给近邻的V离子，使V的电子结构 发生了明显的变化。同时，光学带隙也伴随氧空位的形成而增大。 根据以上对v205体材料的深入研究，为Li离子的嵌入，脱如反应提供了理 论的依据，并为高质量V205薄膜的生长积累了宝贵的经验。 关键词：LixV205：V205-x；电子结构 Abstract Becauseitisa materialin promising manytechnological the been ofintense of pentoxide(v205)has subject study．Especially,theapplications inelectrochemical and V205 electrochromicdeviceshavebeen chargestorage paid themost criticalfactorshaverestrictedthe attention．However,several development ofits mechanismwhich theelectron applications：1)the of changes V205 properties duetotheintercalation／de—intercalationofLiis not still doesthe clear；2)howoxygen affectthe