薄膜材料物理四薄膜表面和界面.pptxVIP

§4—3 电接触4.3.1 逸出功和接触电势差 认为表面电势近似为突变如图图中：E0：表示真空中静止电子的能级金属n型半导体电介质Ec：导带底Ev：价带顶 Ec即是晶体中自由电子所具有的最低能级，它相当于晶体中静止的自由电子的能量. W：真空能级与导带底能级之差，即将晶体中静止电子移至晶体处真空中所需要的能量——电子亲和能 逸出功Φ: 是将电子从费米能级EF移至真空中所需要的最小能量，若以Ec为参数能级, 则 EF 费米能级是系统的化学势能，即是系统中增加一个电子所引起系统自由能的变化。 接触电势差是逸出功不同的两个物体接触以后，由于电子从逸出功小的物体流向逸出功较大的物体，最后达到平衡状态，两物体的费米能级相同。结果前者带正电，电势降低；后者带负电，电势升高；在两者之间产生了电势差——接触电势差式中V1和V2分别为物体1和2的逸出电势4.3.2 金属与金属的接触 例如Ag(银)和铜接触，逸出功不同 从能量观点来看，电子将从逸出功较小的金属向另一金属流动，直到最高能量的电子在这两种金属中占有相同的能级。接触前能级图接触后能级图 两金属自由电子浓度不同也要引起电势差，因为浓度大的要向浓度小的一方扩散，从而前者带正电，后者带负电。有自由电子论知，其静电电势差为：所以，两个金属的接触电势差为：上述是在理想接触情况下的结果事实上，接触有三种如下：金属1金属2a.紧密接触式中ρ为金属的电阻率，Q为凸点的半径若有n个接触点，则总电阻为：设间隙的宽度为d假设金属中的一个电子到x处， 为金属1的逸出功当xd-x时，电子受到金属的吸引力为：（忽略多级镜像力）因此，电子离开金属1后，反抗吸引力f多作用的功为：当dx , x→∞时，显然：金属1金属2 若在外加电场E作用下如图,则电子所受电场力为-qE,势能为-qEx.所以，电子由金属1→2所需要的功为：同样分析，电子由金属2→1所需的功为：根据肖特基发射理论，总电流密度：在强电场下，qEdkT，则有：式中：由此可得出间隙的电导率和电阻率分别为： 三种接触电阻是并联的，并且R1R2R34.3.3 半导体与半导体接触半导体导电类型 电子导电→n型半导体 空穴导电→p型半导体同质接触→Pn结异质接触依结的宽度可分为： 实变型结：结宽仅有几个原子长度的范围内 缓变型结：结宽在几个扩散长度范围内 单边实变结：过渡在一种半导体中只有几个原子长度，而在另一种半导体中却为几个扩散长度同质方法P型半导体和N型半导体接触 这时，空间电荷层具有一定的厚度，其厚度与接触类型和材料而异，通常是微米数量级。两边存在电位差，其中电荷分布与电位关系服从泊松方程，由空间电荷层能级图电位分布P-N结具有整流特性：P接负，n接正→电流很小（称为反向连接）P接正，n接负→电流很大（称为正向连接） 在反向连接情况下，耗尽层（空间电荷层）加宽，几乎没有多数载流子电流。但是，这时对于P型半导体中少数载流子空穴来说却是正向连接，形成少数载流子的电流（μA数量级）——饱和电流 在正向连接情况下，耗尽层变窄，多数载流子形成大电流（mA数量级）。这时，外加电流与自建电场方向相反，所以多数载流子的飘移电流减小，而扩散电流不变，因而流经p-n结的净电流是扩散电流。下面建立流过p-n结的电流密度（正向连接）公式：Ｎ型Ｎ型P型P型（ａ）平衡状态下（ｂ）加正电压V下其中具有能量的电子数为：电子处于能量为E的状态几率为：在p-n结的n型材料一边，导带中的电子数：在平衡状态下，可移动的载流子处于稳定平衡状态。P型半导体导带中的电子数应当等于因此有：和若在P型半导体上加以正电压V，则其费米能级下降qV。在这种情况下，虽然不变，但是，在n型半导体一边具有能量为的电子数nn’’不再是平衡状态下的nn’，而是 因此，在界面两边产生电子密度差（nn’’-np）,电子从n型区向p型区扩散，从而产生从p型区向n型区的扩散电流，其电流密度为：与此类似有： 式中：φ0是电子从n区到p区（或者空穴要从p区到n区）需要越过的一个势垒高度，这个势垒就是p-n结空间电荷区所形成的电势差Vd与电子电荷的乘积，而Vd称为p-n结的接触电势差，其值为： 式中：ND和NA分别为n区和p区的净杂质浓度 ni：为半导体的本证载流子浓度接触电势差Vd的大小由下述三方面决定： 薄膜p-n结二极管→窄二极管，p,n区很薄，其厚度远小于少数载流子的扩散度，这表示在p-n结两边，在结与欧姆接触（电极的）之间不发生电子与空穴的复合。（2）异质结以n-n型同型异质结为例假设两种n型半导体的逸出功分别为Φ1和Φ2，亲和能分别为x1和x2，且Φ1Φ2 和x1x2，如图耗尽层（ａ）接触前（ｂ）接触后n型半导体，电子是 因为右边富有自由电子（ 因为左边半导体的逸出功较小，所以接触以后，电子从左边流向右边，结果左边半导体的