微电子工艺原理与技术 第3篇 单项工艺 第7章 光学光刻.ppt

最小接近距离 式中，k是取决于光刻胶处理工艺的常数，典型值接近1。可以计算，对20微米的间隙，曝光波长为436nm时，用接近式光刻可以实现的最小特征尺寸是3.0微米。 投影光刻机的最小接近距离还与光刻胶的处理工艺有关。通常，当特征尺寸为Wmin时，对波长为?的光，最小接近距离g满足： 6. 投影光刻机 投影光刻机可以得到接触式光刻机的高分辨率，又不会损坏版子和图形。投影机的常用类型有：扫描机、分步重复机和扫描分步重复机。 从图可见，在光刻版和圆片间增加了投影器（物镜），其作用是把透过光刻版后的衍射光重新聚焦到圆片上，消除因衍射引起的图形失真。投影机的重要性能指标用参数数值孔径表示，对接收半角为? 的物镜（n为空气折射率），定义为： 对用于IC生产的投影机，接近理想的光学系统，没有色差、畸变，这时，其分辨率可用瑞利判据确定： 可见，系统的数值孔径越大，其分辨率越高，波长越短，分辨率越高。k是由光刻胶性能决定的常数，其值约0.75。对NA为0.6的系统和365nm的光，投影机最小可分辨0.46微米的图形。为了获得高的分辨率，必须提高系统的数值孔径。 投影机的分辨率 * * 微电子工艺原理与技术 ( 09研究生） 第七章 光学光刻 第三篇 单项工艺2 主要内容 概述； 2. 衍射； 3. 调制传输函数和光学曝光； 接触式/接近式光刻机； 投影光刻机 6. 表面反射和驻波； 7. 对准。 1. 概述 光刻是在光的作用下，利用光刻胶过渡，将图象从母版向另一种介质转移的过程。母版即为光刻版，一种由透光区和不透光区组成的玻璃版。光线通常用近紫外（波长约436nm）、远紫外（波长约365nm, 290nm）、X-射线（波长约0.5-5nm）和电子束（束点小于100nm）。 光刻三要素：光刻胶、掩膜版和光刻机 利用紫外光曝光的光刻技术为光学光刻，利用电子束、离子束等曝光的光刻技术称为非光学光刻。 光刻版根据器件功能的要求，按不同制造工艺的版图设计规则设计制造。对每一层版图，版图设计将决定其允许的最小特征尺寸、允许的最小间隔、该层图形与其它层图形的最小覆盖、与它下层图形的最小间隔等要求。为完成器件工艺流片，铝栅CMOS器件需要8块光刻版，硅栅CMOS 10块光刻版。对有特殊功能的器件，其光刻次数可达15次以上。BiCMOS工艺可以多到28块光刻版。光刻的工艺成本在整套IC工艺中占1/3 以上。 集成电路的设计过程： 设计创意 + 仿真验证 集成电路芯片设计过程框架 是 功能要求 行为设计（VHDL） 行为仿真 综合、优化——网表 时序仿真 布局布线——版图 后仿真 否 是 否 否 是 Sing off IC设计流程 芯片制造过程 集成电路的内部单元(俯视图) 光刻版版图示意 对光刻版的质量要求 光刻版制作在不同类型石英玻璃上，用铬膜作不透光区。对制作光刻版的石英玻璃，要求有良好的光学性能： 曝光波长下的高透光度； 小的热膨胀系数； 整个表面具有很好的平整性，以降低光的散射。 对制版过程中图形的正确性应该用与数据库的比对来确认，铬膜的缺陷需要精心修正，残留疵点可用激光烧除，针孔用额外沉积补救。这是十分重要的、保证成品率的关键工作。 在流片前，工艺人员应当认真检查，比对、确认，只有正确无误时才开始流片。 光刻工艺 一次光刻包含在圆片上的涂胶、光刻版图形与圆片上前次图形的对准、紫外光对光刻胶曝光在圆片表面产生掩模图形、光刻胶对紫外光的吸收和反应、显影、坚膜、介质刻蚀。 光刻机的性能度量标准 1. 分辨率 即可以曝光出来的最小特征尺寸。对确定的光刻机（对准机），分辨率不是一个固定数，取决于光刻胶依据实像重建图形的能力。正胶可以得到较好的分辨率，减薄光刻胶的厚度也可提高分辨率。为了实用，分辨率通常表达为可分辨的、且能保持一定尺寸容差的最小特征尺寸。典型值是取线宽分布三倍标准偏差不超过线宽的10%。 2. 对准 光刻机的对准是指层间套刻的对准精度。它取决于多种因素，例如对准记号的设计、圆片表面介质薄膜的性质、机器对对准记号的精确定位能力等。IC生产线上往往采用自动对准系统，而手动对准系统还主要取决于操作人员的能力。 3. 产量 为了提高效率，光刻机的流片能力是重要的性能指标。对常规的IC生产，必须全面地度量上述性能，兼顾各项指标。例如，对电子束系统，它有很高的分辨率，但产量很低，如每小时一片，除非特殊需要，就不可能成为常规光刻机。对VLSI技术，分辨率