上海交通大学物理实验报告(大二上)硅光电池特性的研究4.docxVIP

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硅光电池特性的研究实验目的:了解硅光电池的工作原理及其应用。研究硅光电池的主要参数和基本特性。实验原理:硅光电池的照度特性 硅光电池是属于一种有PN结的单结光电池。它由半导体硅中渗入一定的微量杂质而制成。当光照射在PN结上时,由光子所产生的电子与空穴将分别向P区和N区集结,使PN结两端产生光生电动势。这一现象称为光伏效应。硅光电池的短路电流与照度关系当光照射硅光电池时,将产生一个由N区流向P区的光生电流,同时由于PN结二极管的特性,存在正向二极管管电流。此电流方向从P区到N区,与光生电流相反,因此实际获得电流I为式中V为结电压,为二极管反向饱和电流,是与入射光的强度成正比的光生电流,其比例系数与负载电阻大小以及硅光电池的结构和材料特性有关。n为理想系数是表示PN结特性的参数,通常在1-2之间,q为电子电荷,为波尔茨曼常数,T为绝对温度。在一定照度下,光电池被短路(负载电阻为零)则V = 0 由(1)式可得到短路电流硅光电池短路电流与照度特性见图1。硅光电池的开路电压与照度关系当硅光电池的输出端开路时,I = 0, 由上两式可得开路电压硅光电池开路电压与照度特性见图1。硅光电池的负载特性当硅光电池接上负载R时,硅光电池工作可以在反向偏置电压状态或无偏压状态。它的伏安特性见图2。由图中可见,硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成:反偏工作状态,光电流与偏压、负载电阻几乎无关(在很大的动态范围内);无偏工作状态,光电二极管的光电流随负载电阻变化很大。由图2可看到,在一定光照下,负载曲线在电流轴上的截距是短路电流,在电压轴上的截距即为开路电压。硅光电池的光谱响应。图3为硅光电池的光谱特性曲线。即相对灵敏度Kr 和入射光波长??的关系曲线。从图3中可看出,硅光电池的有效范围约在450—1100 nm之间。实验室给出六种不同的滤色片,透过各滤色片光的波长见表1。实验中所用光源为发光二极管,二极管发出的光再打在荧光粉上发出白光,其各谱线所对应的光强与波长有关,本实验中所用光源的相对光强与波长关系写在桌子上的表格上面。实验室给出的各种波长滤色片的波长并不严格,它有一定的宽度,给出的仅仅是峰值。表征宽度通常是用半带宽?λ表示,滤色片的峰值透射率用T表示,各个波长滤色片的?λ和T并不一致,即使同一波长滤色片的峰值透射率在技术上也很难做到一致。因此,对每组实验仪器,各波长滤色片对应的峰值透射率T及半带宽?λ已附在各组实验仪器上。硅光电池的灵敏度K为为硅光电池测得的光强,可用硅光电池的输出电压或电流表示。硅光电池的相对灵敏度为为不同波长对应的最大值。实验中,光源的能量主要集中在红外区域,本实验所用的偏振片对红外不起偏,因此要选择合适的滤色片滤掉红外光,才能进行验证马吕斯定律的实验内容。数据处理原始数据:照度特性研究照度V/VI/照度V/VI/23400.1664 164.5 11400.0870 87.0 21400.1525 152.5 9400.0703 70.3 19400.1390 139.0 7400.0553 55.3 17400.1282 128.2 5400.0401 40.1 15400.1114 111.4 3400.0253 25.3 13400.0980 98.0 1400.0100 10.0 实验中通过改变入射光的控制电流改变入射光的强度从而改变照度,这样可以使照度均匀增加,有利于实验数据的收集。测短路电流的时候要选好量程,因为改变量程会使得电流表内阻改变,影响前面的测得的数据。可以使用替代法测100精细电阻的电压从而得到短路电流。RSDNP------------------------------------------------------------0.9993600001------------------------------------------------------------伏安特性研究V/VI/V/mVI/ V/VI/V/mVI/-4.358 -24.2 257.4 -21.7 -4.564 -19.0 263.5 -16.7 -3.752 -24.2 282.4 -19.3 -3.830 -19.0 279.4 -15.5 -2.740 -24.1 290.5 -18.1 -2.583 -18.8 286.7 -14.7 -1.598 -23.9 292.3 -17.6 -1.736 -18.7 291.6 -14.0 -0.580 -22.8 276.0 -15.5 -0.917 -18.6 287.1 -13.2 -0.133 -23.7 304.8 -14.4 -0.287 -18.6 303.5 -12.1 -0.030 -23.7 314.7 -12.8 -0.006

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