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公式同固定偏压
* Boylestad and Nashelsky Electronic Devices and Circuit Theory Copyright ?2006 by Pearson Education, Inc. Upper Saddle River, New Jersey 07458 All rights reserved. § 8-12 場效電晶體放大器網路的設計 * ? 設計：初期 使用近似方程式設計。--因R被標準電阻值取代。 完成時 利用完整方程式來加以測試及修改。 ? 注意：1. 直流參數 對 交流響應 有很大影響。 2. DC IG?0A→ RG在回授組態中以短路等效所取代。 AC 因 RG 介於 Vo 與 Vi 間，以高阻抗來取代。 3. 電路中各種參數對直流和交流準位所產生的影響是多方面的。 → 須取平衡點 ? 問題：[已知] VDD, FET種類, f, C1, C2, CS 等。 [要求] AV, Zi, Zo 等值。 [求] 電阻性元件之值。 解：∵ AV =－gm(rd∥RD)=－10 rd=1/yos=1/20μS=50kΩ IG?0A→VRG=0(短路)→G 接地 →VGSQ =0V 直流 分析 Boylestad and Nashelsky Electronic Devices and Circuit Theory Copyright ?2006 by Pearson Education, Inc. Upper Saddle River, New Jersey 07458 All rights reserved. * 例題 8.13：設計下圖的固定偏壓電路，使其交流增益為10，亦即計算電阻 RD值。 § 8-12 場效電晶體放大器網路的設計 G . S D (標準值 RD=2kΩ) * Boylestad and Nashelsky Electronic Devices and Circuit Theory Copyright ?2006 by Pearson Education, Inc. Upper Saddle River, New Jersey 07458 All rights reserved. 解： 另可求 [直流分析]VDSQ=VDD－IDQRD=30V－10mA×2kΩ=10V (VGSQ=0V→IDQ=IDSS=10mA) [交流分析]Zi =RG =10MΩ Zo=rd // RD=50kΩ// 2kΩ=100kΩ2 / 52kΩ=1.923kΩ ?RD =2kΩ § 8-12 場效電晶體放大器網路的設計 RD∥rd － ＋ 10MΩ 50kΩ 2kΩ 5mS×Vgs 解：[說明]1.為RS被旁路之自偏壓組態→ AC分析---無RS，公式同固定偏壓 2.RD 求法同上題，RS 由DC分析求 VGSQ = VP = (－4V) =－1V IG?0A→VRG=0(短路)→KVL:VGSQ＋IDQRS =0V ∴RS =－VGSQ / IDQ =－(－1V)/ 5.625mA =177.8Ω (標準值 RS=180Ω) ∵ AV =－gm(rd∥RD)=－8 rd=1/yos=1/20μS=50kΩ 工作點 直流分析 交流分析 Boylestad and Nashelsky Electronic Devices and Circuit Theory Copyright ?2006 by Pearson Education, Inc. Upper Saddle River, New Jersey 07458 All rights reserved. * §
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