第03章 门电路+半导体基础知识(无门复习)PPT.ppt

3-* 3.5.1 CMOS反相器的工作原理 ＋VDD vO TN TP vI D S G S D G 当vI = VDD时， VGSN = vI ＞VGS(th)N TN导通 Ron＝103W VGSP = vI － VDD ＞ VGS(th)P TP截止 Roff＝109～1012W vO = VDD ≈ 0 输出低电平 根据分析可见电路具有反相器的功能 3-* 3.5.2 CMOS反相器的主要特性 电压传输特性和电流传输特性 特点： 静态功耗极低 抗干扰能力强 电源利用率高 输入阻抗高 扇出系数大 vO vI 0 VGS(th)N vI iDS (VDD+VGS(th)P) Vth 0 VDD VDD 3-* 3.5.2 CMOS反相器的主要特性 输入特性 在 CMOS 电路的输入端都加有二极管保护电路，可以避免MOS管在正或负尖峰脉冲作用下被击穿。保护电路决定了CMOS反相器的输入特性 VDD vO TN TP vI 0 vI iI VDD －1V 3-* 电压传输特性 关于噪声容限 输入高电平噪声容限 VIH－ VNH≥ Von VNH = VIH－Von 输入低电平噪声容限 VNL ＋VIL ≤ Voff VNL ＝ Voff －VIL Vth=1.4 V VIH VNH VNL Voff Von VIL vI 3.2.2 TTL与非门的主要外部特性 3-* 输入特性（输入伏安特性） vI(V) iI(mA) 0 IIH 1 1 IIS 2 当输入端对地短路时，从输入端流出的电流称为输入短路电流 IIS 当输入高电平时流入输入端的电流称为输入漏电流 IIH≈40mA 当vI=0时 iI =IIS ≈1.08mA 3.2.2 TTL与非门的主要外部特性 3-* 输入特性（输入负载特性） VCC T2 R1 4kW T1 T4 A B 2.1V 1.4V 0.7V VCC Ri vI ＋ － ≤1.4V vI(V) 0 1.4 RI(kW) 2 3.2.2 TTL与非门的主要外部特性 3-* 输入特性（输入负载特性） 与非门的输入端外接接地电阻Ri时，由于T1管发射极电流在电阻Ri上产生的电压降等效这个输入端的输入电压，该电压直接影响与非门的输出状态。根据分析，这个电压的数值决定于电阻Ri的大小，且最大值为1.4V，可以计算出，当Ri小于某个数值时，产生的电压很小，相当于输入逻辑0，当Ri大于某个数值时，产生的电压为1.4V，相当于输入逻辑1，显然，Ri决定与非门的状态 3.2.2 TTL与非门的主要外部特性 3-* 输入特性（输入负载特性） 由此引出一个TTL门电路多余输入端的正确处理方法问题： 为避免干扰多余输入端一般不应悬空，若悬空则相当于外接无穷大电阻； 为保证门电路的逻辑功能正确，多余输入端可接适当电平、与在用输入端并联使用； 当需要外接电阻时，应当注意到电阻Ri对门电路工作状态的影响：当Ri≥3.2kW (开门电阻Ron)时，相当于输入逻辑1；当Ri≤910W (关门电阻Roff)时，相当于输入逻辑0 3.2.2 TTL与非门的主要外部特性 3-* A B Y＝1 100W A B Y＝ 10kW “1” “0” TTL与非门外接电阻Ri对电路工作的影响 将TTL与非门换成TTL或非门，其输出又如何？ 3.2.2 TTL与非门的主要外部特性 3-* 3.2.2 TTL与非门的主要外部特性 TTL与非门外接电阻Ri对电路工作的影响 将TTL与非门换成TTL或非门，电阻在输入端的等效作用没变，但输出变了 A B Y＝ ≥1 100W A B Y＝0 ≥1 10kW “1” “0” 3-* 输出特性 vo(V) io(mA) 0 1 20 2 3 40 40 20 关态时 带拉电流负载能力较弱 开态时 带灌电流负载能力稍强 扇出系数NO：输出端最多能带同类门的个数，它规定了TTL与非门的最大负载容限 3.2.2 TTL与非门的主要外部特性 3-* 平均延迟时间 tpHL tpLH 平均延迟时间反映了TTL门的瞬态开关特性，主要说明了它的工作速度 3.2.2 TTL与非门的主要外部特性 3-* 电源特性 电路处于稳定开态时的空载导通功耗 PL＝IELVCC＝(iR1+iR2)VCC 电路处于稳定关态时的空载截止功耗 PH＝IEHVCC＝iR1VCC 与非门的空载平均功耗 P＝( PH +PL) ∕ 2 电