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薄膜材料制备方法

* * * * * * 主要内容 薄膜的制备方法,含: ---真空技术基础; ---PVD(真空蒸发、溅射、离子镀膜) ---CVD ---溶液镀膜法 典型的薄膜材料的制备 ---金刚石薄膜 ---ZnO薄膜 * * CVD的含义 化学气相沉积 CVD(Chemical Vapor Deposit)是一种化学气相生长法,把一种或几种化合物的单质气体供给基片,利用加热、等离子体、紫外光乃至激光等能源,在基片表面发生气相化学反应生成薄膜。 优点:可以任意控制薄膜的组成,从而制得许多新的膜材。 成膜速度快,每分钟可达几个μm,甚至数百μm。 * * CVD分类 按沉积温度: ---低温200---500℃ ---中温500----1000℃ ---高温1000---1300℃ 按反应室内的压力:常压,低压。 按反应器壁:热壁,冷壁。 按反应激活方式:热CVD、PlasmaCVD、激光CVD、超声CVD等。 * * 几种新的CVD方法 金属有机化合物CVD(MOCVD):用低温下能分解的MO作反应气。缺点:沉积速率低,缺陷多,杂质多。 激光CVD 电子回旋共振等离子体沉积 * * CVD中的化学反应 1)热分解式高温分解反应 SiH4(g)→Si+4HCl Ni(CO)4(g)→Ni(s)+4CO(g) CH3SiCl3(g)→SiC(s

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