传感器原理与应用主编 戴焯第五章 热电传感器(精编).ppt

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传感器原理与应用主编 戴焯第五章 热电传感器(精编)

热电偶测温基本原理是将两种不同材料的导体或半导体焊接起来,构成一个闭合回路。由于两种不同金属所携带的电子数不同(自由电子浓度不同),当两个导体的二个执着点之间存在温差时,就会发生高电位向低电位放电现象,因而在回路中形成电流,温度差越大,电流越大,这种现象称为热电效应。 热电极的极性: 测量端失去电子的热电极为正极,得到电子的热电极为负极。对热电势符号EAB(T,T0),写在前面的A、T分别为正极和高温;写在后面的B、T0分别为负极和低温。若它们前后颠倒,则热电势极性相反。 EAB(T,T0)=- EAB(T0,T), 实验判别热电势的方法是将热端稍加热,在冷端用直流电表辨别。 ④均质导体定律 两种均质金属组成的热电偶,其热电势大小与热电极直径、长度及沿热电极长度上的温度分布无关,只与热电极材料和两端温度有关。 如果热电极材质不均匀,则当电极上各处温度不同时,将产生附加热电势,造成无法估计的测量误差。因此,热电极材料的均匀性是衡量热电偶质量的重要指标之一。 EAB(T)-EAC(T1)+EAC(T2)-EAB(TO)≠ EAB(T) -EAB(TO) 热电阻的测温原理: 物质的电阻率随温度变化而变化的物理现象称为热电阻效应。大多数金属导体的电阻随温度升高而增加。 在金属中参加导电的是自由电子,当温度升高时,虽然自由电子数目基本不变,但是,每个自由电子的动能将增加,在一定的电场作用下,要使这些杂乱无章的电子作定向运动就会遇到更大阻力,导致金属电阻随温度升高而增加。 假设晶体管性能是理想的,晶体管对T3、T4会使得IT分为两个相等的电流I1、I2,起恒流作用。T1、T2起感温作用,但T1是由8只与T2相同的晶体管并联而成的,因此T2中的电流密度J2=8J1。 T1和T2的发射结电压Ube1和Ube2反极性串联后施加在R上,则R上的端电压便是ΔUbe,为 R两端电压UT正比于绝对温度T。通过R的电流 IR≈ I1=179T/R,与T成正比,IT=2I1,若R=358Ω,其比例系数kT=IT/T=2×179/358=1(μA/K) IT=kTT AD590就是按上述理论制造的。 集成温度传感器的典型应用 测量温度 AD590远程温度测量。AD590是一个两端器件,只需一个直流电压源(4~30V),功率1.5mw,其输出是高阻抗710MΩ电流,因而长导线上的电阻对器件工作影响不大,适合远程测量。 如图, IT=kTT=T(μA ), R1=1K,U1=ITR1=T(mv) 适当设计RRR,使U2=273.2mv; A=10,则U0=(10mv/℃)T T=-50 ℃ U0 =-500mv T= 0 ℃ U0 = 0mv T=150 ℃ U0=1500mv 线性度好、精度高 1.工作原理 根据晶体管发射结的有关理论可以求得NPN管发射结偏压Ube与集电流电流Ic、温度T 三者之间的关系为 与式(5-27)相比,式(5-28)中的集电极电流Ic 是与温度基本无关的多数载流子扩散运动形成的电流,因而当IC 恒定时,式(5-28)给出的Ube 与T 呈单调和单值变化。且Ube 随T 的升高而近似线性下降,其下降幅度约为-2.2mv/℃。 (5-28) 2.典型应用 温敏晶体管具有成本低、性能好、使用方便等优点,因而比温敏二级管应用范围广,可用于测某一点的温度、测两点的温差,或用于过程监视或控制场合。图5-18是晶体管数字温度计原理框图。 图5-18 晶体管数字温度计原理框图 图5-18中温敏晶体管作为感温元件接在运算放大器的反馈回路中,这种接法使得晶体管发射结正偏,集电结近乎零偏,因为其集电极接虚地,而基极接地。零偏的集电结使得集电结反向饱和电流、集电结空间电荷区的复合电流等趋于零,因而此时的集电极电流完全由扩散电流组成。即集电极电流IC 的大小仅取决于集电极电阻RW 和基准电压ES ,而与温度无关,从而保证温敏晶体管处于恒流工作状态,使晶体管发射结偏压Ube与被测温度T 之间有较好单值线性关系。图中的负反馈电容C 用以防止寄生振荡。运放输出Uo经线性转换后为EX ,并与基准电压ES迭加形成ES+αEX ,这样处理的目的是进一步减小Uo的非线性误差;然后经A/D 转换后送数字显示器输出。此温度计在-50~+150℃测温范围内,误差小于0.1℃。 三、集成温度传感器 集成温度传感器是以晶体管作感温器件,单个的晶体管基极—发射极电压在恒定的集电极电流条件下,可以认为与温度呈单值线性关系,但仍然存在有非线性偏差,温度范围

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