薄膜物理与技术精品课件（史鹏）CH2-3 sputtering.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * X-射线分为： 荧光x-射线（特征谱），与元素有关， 用于分析成分，即电子探针功能 连续谱 X-射线的检测方法有二： 1）EDX： 用检测器 限于分析11（Na）或5（B）号以上元素， 灵敏度达0.1%，有时相近元素峰峰相互重叠。 分析速度快 2）WDX：用检测器 可分析11（Na）或5（B）号以上元素， 灵敏度达0.01%。可分辨相近元素 分析速度慢 X-射线分为： 荧光x-射线（特征谱），与元素有关， 用于分析成分，即电子探针功能 连续谱 X-射线的检测方法有二： 1）EDX： 用检测器 限于分析11（Na）或5（B）号以上元素， 灵敏度达0.1%，有时相近元素峰峰相互重叠。 分析速度快 2）WDX：用检测器 可分析11（Na）或5（B）号以上元素， 灵敏度达0.01%。可分辨相近元素 分析速度慢 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * ★ 离子镀膜的原理 离子镀膜系统典型结构 基片为阴极，蒸发源为阳极，建立一个低压气体放电的等离子区； 镀材被气化后，蒸发粒子进入等离子区被电离，形成离子，被电场加速后淀积到基片上成膜； 淀积和溅射同时进行； 2.3.5 离子镀技术 离子镀膜的成膜条件 淀积过程： 溅射过程： 实现离子镀膜的必要条件 造成一个气体放电的空间； 将镀料原子(金属原子或非金属原子)引进放电空间，使其部分离化。 μ为淀积原子在基片表面的淀积速率；ρ为薄膜质量密度；M为淀积物质的摩尔质量；NA阿佛加德罗常数。 j是入射离子形成的电流密度 2.3.5 离子镀技术 ★ 离子镀膜的优点 膜层附着性好；溅射清洗，伪扩散层形成 膜层密度高（与块体材料相同）；正离子轰击 绕射性能好； 可镀材料范围广泛； 有利于化合物膜层的形成； 淀积速率高，成膜速率快，可镀较厚的膜； 清洗工序简单、对环境无污染。 2.3.5 离子镀技术 ★ 离子镀膜的缺点 薄膜中的缺陷密度较高，薄膜与基片的过渡区较宽，应用中受到限制（特别是电子器件和IC）。 由于高能粒子轰击，基片温度较高，有时不得不对基片进行冷却。 薄膜中含有气体量较高。 2.3.5 离子镀技术 ★ 离子镀膜的类型 按薄膜材料气化方式分类： 按原子或分子电离和激活方式分类： 电阻加热、电子束加热、高频感应加热、阴极弧光放电加热等。 辉光放电型、电子束型、热电子型、电弧放电型、以及各种离子源。 一般情况下，离于镀膜设备要由真空室、蒸发源(或气源、溅射源等)、高压电源、离化装置、放置基片的阴极等部分组成。 2.3.5 离子镀技术 直流二极型离子镀 直流二极型离子镀的特征是利用二极间的辉光放电产生离子、并由基板所加的负电压对其加速。 轰击离子能量大，引起基片温度升高