低频电子电路01章.pptx

《低频电子电路》课程概述电子电路：特指含半导体元器件的电路，并能 对电信号实现某种处理的功能电路。低频电子电路：电信号周期较大的电子电路，以 及一些“电子电路”相关基础。半导体元器件：二极管、场效应管、集成电路。《低频电子电路》课程结构半导体非线性分析（1、2章）受控特性分析（3章）放大单元与器件（4-7章）电路应用结构与改良（8章）《低频电子电路》第 1 部分 半导体非线性分析　第一章 半导体基础元件与非线性电路1.1　单一类型半导体的导电性能1.2　半导体二极管的导电性能1.3　半导体非线性电路的分析基础1.4　半导体非线性电路的近似分析 与电路系统设计的关系《低频电子电路》第 1 部分 半导体非线性分析　第二章 半导体受控器件基础2.1　双极型晶体管的电量制约关系2.2　场效应管的电量制约关系2.3　元器件的模型研究与仿真的工 程意义N型半导体本征半导体P型半导体第 1 章　半导体基础元件与非线性电路概 述三层次的半导体元器件第1层 单一类型半导体材料 --------半导体的电阻性质正极负极PNN+PNP++PP第 1 章　半导体基础元件与非线性电路概 述三层次的半导体元器件第2层 多类型半导体材料的不同简单组合 --------非线性导体性质第 1 章　半导体基础元件与非线性电路第2层 多类型半导体材料的不同简单组合 --------非线性导体性质第 1 章　半导体基础元件与非线性电路三层次的半导体元器件第3层 多类型半导体材料的复杂组合 --------半导体的信号处理功能第 1 章　半导体基础元件与非线性电路第3层 多类型半导体材料的复杂组合 --------半导体的信号处理功能第 1 章　半导体基础元件与非线性电路1.1 单一类型半导体的导电性能半导体：导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。无杂质的---本征半导体分类杂质半导体（P型半导体、N型半导体)物质结构：原子按有序排列的晶体结构构成导电原理分析方法：共价键方法，能带理论方法（1）共价键方法----原子间结构，外层电子轨道位置（2）能带理论方法-----半导体内电子流动能力分析惯性核+3228184+14284+4价电子第 1 章　半导体基础元件与非线性电路1　硅和锗晶体的共价键分析法1.1.1　本征半导体的伏安特性硅(Si)、锗(Ge)原子结构及简化模型：+4+4+4共价键+4+4+4+4+4第 1 章　半导体基础元件与非线性电路本征半导体　硅或锗的本征半导体的原子结构，即共价键结构。它们是制造半导体器件的基本材料。+4 当 T 升高或光线照射时产生自由电子空穴对。+4+4+4+4第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 激发 共价键具有很强的结合力。 当 T = 0 K(无外界影响) 时，共价键中无自由移动的电子。激发；这种现象称反之，称为复合。结论：空穴价电子层的电子空位；自由电子的远离价电子层的电子（受原子核作用小）。第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 空穴的运动　当原子中的价电子层失去电子时，原子的惯性核带正电，可将其视为空位或空穴带正电。　通常，将原子间价电子轨道层面的电子运动称为空穴运动。注意：空穴运动方向与价电子运动的方向相反。自由电子 — 带负电半导体中有两种导电的载流子空 穴 — 带正电　通常，将自由电子轨道层面的电子运动称为自由电子的运动，简称为电子运动。第 1 章　半导体基础元件与非线性电路2　硅和锗晶体中电子活动的能带分析法第 1 章　半导体基础元件与非线性电路　在半导体整体平台中，电子运行轨道可以采用对应的电子能量来表示，因此，有了物质的电子轨道的能级图（较精细）和能带图（对较大能级差体现明显）。第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 结论（共价键分析与能带分析的对应）：　电子在同一能带中不同能级间的运动变迁较为容易；跨能带的运动变迁必需通过能量的较大吸收或释放，即由此跨越禁带来实现。　从价带到导带的电子轨道变迁，与前述的激发运动对应；从导带到价带的电子轨道变迁，与前述的复合运动对应。　电子在导带内部的电子轨道变迁，与前述的电子运动对应；电子在价带内部的电子轨道变迁，与前述的空穴运动对应。热敏特性niT或光照本征激发——产生自由电子空穴对。导电能力本征半导体中光敏特性电子和空穴相遇释放能量——复合。第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 热平衡载流子浓度温度一定时： 激发与复合在某一热平衡值上达到动态平衡。热平衡载流子浓度：电场 E截面积 S长度 lI+-V电阻：电导率：第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 半导体的电导率 本征半导体的电压电流关系可由等效的电阻元件来代替。但电阻的阻值会受到温度和光照的影响。迁移率漂移电流密度总漂移电流密度：第 1 章　半导体基础元件与非线性电路漂移与漂移电流