cmos模拟集成电路设计ch2器件物理.pptx

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2018-06-09 发布于上海
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cmos模拟集成电路设计ch2器件物理.pptx

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cmos模拟集成电路设计ch2器件物理

2.1 基本概念; MOS符号;2.2 MOS的I/V特性;4;5;6;Derivation of I/V Characteristics;I/V Characteristics (cont.);I/V Characteristics (cont.);10;11;12;跨导是小信号(AC)参数，用来表征MOSFET将电压变化转换为电流变化的能力。反映了器件的灵敏度 ——VGS对ID的控制能力。 ;14;15;16;图中MOS管的作用是什么？应该工作在什么工作区？;即NMOS开关不能传递最高电位，仅对低电位是比较理想的开关;19;2.3 二级效应;21;22;23;沟调效应使饱和区的MOSFET不能再看成理想的电流源，而具有有限大小的输出电阻ro;25;栅和沟道之间的氧化层电容C1 衬底和沟道之间的耗尽层电容C2 多晶硅栅与源和漏交叠而产生的电容C3、C4，每单位宽度交叠电容用Cov表示源/漏与衬底之间的结电容C5、C6;27;大信号和小信号模型;2.5 MOS小信号模型;30;31;32;NMOS VS PMOS;NMOS管与PMOS管工艺参数的比较;长沟道器件和短沟道器件;MOS管用作电容器时;并联;注意不要混淆管子的宽W和长L;39;40