数电05ttl逻辑门.pptxVIP

RiVCC补充一：开门电平Von：使输出端处于低电平上限所允许的最低输入电压.关门电平Voff：使输出端处于高电平下限所允许的最高输入电压.补充二：输入负载特性曲线，开门电阻Ron ，关门电阻Roff 输入负载特性(uRi= f（Ri）)是指： 逻辑门输入端与信号源之间或输入端与地之间接一电阻Ri，Ri两端的电压uRi在一定范围内随Ri阻值变化而变化的关系曲线。 RiVCCRi以Ri接地为例 当Ri=0，即uRi =0V，相当输入低电平。 当Ri较小时，uRi也较小，仍属于低电平。 若Ri继续增加，当uRi=VILmax时，对应的Ri称为关门电阻Roff。 即：若Ri≤Roff，Ri的接入相当于该输入端为低电平。 RiVCCRi若Ri继续增大，满足URi=VIHmin时，Ri的接入相当于该输入端为高电平，则对应的Ri称为开门电阻Ron。即：若Ri≥Ron，电阻Ri的接入相当于该输入端为高电平。 对于不同的TTL系列，Ron和Roff的数值有所不同。一般可以认为Ri≥2kΩ，为高电平输入；Ri≤500Ω，为低电平输入。显然，当Ri=∞时（输入端悬空），相当输入端接入高电平； 当Ri=0时（输入端接地），相当输入端接入低电平。 注意，以上数据对CMOS门不适用。3.2.1 BJT的开关特性iB=0，iC?0，vO＝VCE≈VCC，c、e极之间内阻为几百千欧，近似于开路，相当于开关断开。vI=（0V~vth）时:3.2.1 BJT的开关特性集电极饱和电流：基极临界饱和电流：3.2.1 BJT的开关特性iBIBS，iC=ICS，vO＝VCES≈0.2~0.3 V ，c、e极之间内阻为几百欧，近似于短路，相当于开关闭合。vI很大时，例如vI =5V时: 0 iB BJT的开关条件饱 和工作状态截 止放 大 iB 条件iB≈0工作特点偏置情况 发射结和集电结均为反偏 发射结正偏，集电结反偏 发射结和集电结均为正偏集电极电流iC ≈ 0iC ≈ ?iBiC＝ICS≈ 且不随iB增加而增加管压降VCEO ≈ VCCVCE＝VCC－iCRcVCES ≈ 0.2~0.3 V c、e间等效内阻 很大，约为数百千欧，相当于开关断开可变很小，约为数百欧，相当于开关闭合2. BJT的开关时间BJT饱和与截止两种状态的相互转换需要一定的时间才能完成。从截止到导通开通时间ton(=td+tr)从导通到截止关闭时间toff(= ts+tf)3.2.2基本BJT反相器的动态性能若带电容负载 CL的充、放电过程均需经历一定的时间，必然会增加输出电压?O波形的上升时间和下降时间，导致基本的BJT反相器的开关速度不高。故需设计有较快开关速度的实用型TTL门电路。 V(5V) CCRRRb1 c2 c4 4kW 1.6kW 130W T 4T T 1D 2+ v I+ – T v 3O 负载– Re2 1KW 3.2.3 TTL反相器的基本电路1. 电路组成输出级T3、D、T4和Rc4构成推拉式的输出级。用于提高开关速度和带负载能力。输入级T1和电阻Rb1组成。用于提高电路的开关速度中间级T2和电阻Rc2、Re2组成，从T2的集电极和发射极同时输出两个相位相反的信号，作为T3和T4输出级的驱动信号；中间级 输入级输出级VCC倒置的放大状态Rb1Rc2Rc4T4截止vIT2T1DvO负载T3Re2全导通，2.1V饱和2. TTL反相器的工作原理(1) 输入为高电平，如vI=3.6V正向偏置2.1V0.9V反向偏置0.2V0.2V=0.2V0.7V3.6V1.4V实现了：输入高电平，输出低电平。(开态)*PVCCRb1Rc2Rc40.7VT4导通vIT2T1DvO负载T3Re2导通需2.1V截止(2) 输入为低电平，如vI=0.2V0.9V=5V-1.4V=3.6V0.2V实现了：输入低电平，输出高电平。(关态)*P逻辑表达式 L = A 输出输入T1T2T3D4T4导通低电平饱和截止导通高电平截止饱和截止高电平倒置工作饱和截止低电平逻辑真值表 输入A输出L0110VCCvO/V5Rb1Rc2Rc44T4AB3CvIT2T1D2vO（静态电压传输特性）1负载T3vI/VDE0123Re23、静态电压传输特性AB段：Vi0.4V，T1的e结正偏， VB2 0.6V，T2 、T3截止，T4和D导通，输出高电平VOH≈3.6V。称为截止区。BC段： 0.4V vI1.1V时，T2开始导通，T3仍截止，T4为电压跟随。 T2工作在放大区，vO随vI的增大而减小，称为线性区。VCCvO/V5Rb1Rc2Rc44T4AB3CvIT2T1D2vO（静态电压传输特性）1负载T3vI/VDE0123Re23、静态电压传输特性CD段： vI1.1V