第二章 MCS-51单片机芯片的硬件结构课件.pptVIP

对51子系列，共256字节内部数据存储器，其中低128字节可以让用户使用，高128单元被专用寄存器（SFR）占用，不能让用户随意使用，所以常说的内部RAM区指的是低128单元； 对52子系列，共有384字节内部数据存储器，低128字节RAM，高128字节RAM和128字节的专用寄存器区，常说的内部RAM为256字节。 对内部数据存储器的访问使用MOV指令。 1.1.2 位寻址区(位寻址区共16个字节,128位，同时还包括部分专用寄存器区中可位寻址的专用寄存器) 1.2 内部数据存储器高128单元(80H-0FFH) 特殊功能寄存器SFR 1）占用字节地址： 80H～FFH 2）可位寻址寄存器： 其字节地址可被8整除 2）寄存器B (8位) 与A累加器配合执行乘、除运算。也可用作通用寄存器。乘法时：B为乘数并存放乘积的高八位；除法时：B为除数并存放余数。 MUL AB DIV AB 1.2.3 程序计数器PC (16位) PC的内容为将要执行的指令地址。PC是唯一不可寻址的寄存器，不属于专用寄存器，用户不可对其进行读、写。在执行转移、调用、返回的指令时能自动改变其内容，以改变程序的执行顺序。复位时：PC=0000H，程序从此单元开始执行，访问范围：0000~FFFFH即64K。 二、 程序存储器 三、MCS-51存储结构特点 补充 普林斯顿结构：程序和数据共用一个存储 器逻辑空间，统一编址。 哈佛结构： 程序\数据分为两个独立存 储器逻辑空间，分开编址。 I/O口电路小结  1. P0口： 通用双向并行I/O口或低8位地址/数据传送分时复用。 2.P1口： 最简单的I/O通用双向并行接口。 第六节 单片机的低功耗操作方式 1、为什么需要低功耗操作： 节能、特别是在便携式电池供电方式下。 2、怎样进行低功耗操作： 对PCON的相应位进行置高或置低。如 SETB IDL 等同于 SETB PCON.0 3、低功耗工作模式及耗电量： 1)待机方式：从正常工作24mA降为3.7mA。 2) 掉电方式：从待机3.7mA降为50uA。 复习1 数据缓冲区/堆栈区： 30H～7FH 位寻址区： 字节地址：20H～2FH 位地址为：00H～7FH 工作寄存器区： 字节地址：00H～1FH 复习3 单片机复位后的初始状态： MCS-51在物理上有四个存储空间： 1、片内程序存储器 2、片外程序存储器、 3、片内数据存储器 4、片外数据存储器。 从逻辑上划分有三个存储器地址空间： 1、片内外统一编址的64K字节程序存储器（0000H~0FFFFH） 2、内部256字节数据存储器地址空间（包括 128字节片内RAM和128字节的SFR） 3、外部64K字节数据存储器地址空间（0000H~0FFFFH） MCS-51采用哈佛结构 51子系列 内部ROM 外部ROM /EA=1 /EA=0 外部ROM 外部ROM 51子系列 第三节 并行输入/输出端口结构（I/O口） 四个准双向8位I/O口，共32根I/O口线，每个I/O线均由锁存器，输出驱动电路和输入缓冲器组成。每个I/O既可作输入又可作输出，每一条口线可独立用作输入又可用作输出，作输出时可锁存数据，作输入时可缓冲数据。 1.1 P0口作为一般I/O口输出(要外加上拉电阻) P 0 .n 锁存器 P 0 .n Q Q D 读锁存器 写锁存器 内部总线 读引脚 T 2 MUX 地址/数据 控制 T 1 VCC 0 VCC 100－200Ω P0口位的结构 一、 P0口结构 P0口的位结构 1.2 P0口作为输入（先把p0口置1，使T1,T2截止） P 0 .n T 2 地址/数据 控制 T 1 VCC P 0 .n 锁存器 Q Q D 读锁存器 写锁存器 内部总线 读引脚 MUX 1 0 0 0 ORL P0 , #0FFH MOV A, P0 P0口的位结构 1.3 P0口作为